圣迭戈，2022年2月16日——村田旗下公司、專注于半導體集成技術的pSemi? Corporation擴大旗下RF SOI開關產品組合，旨在為最新的5G無線基礎設施建設項目和大規模MIMO基站部署項目提供支持。通過在混合波束成形架構拓撲中使用新型的高線性度開關，基站設計人員可以節省電路板上寶貴的空間并改善系統熱耗散，降低整套系統的成本、重量和功耗。pSemi先進的SP4T開關可提供同類產品最佳的線性度、插入損耗和功率處理性能，從而提高sub-6 GHz有源天線系統的頻譜效率。
sub-6 GHz頻段的5G基站有助于網絡提供商快速便捷地增加帶寬和提高數據吞吐量。鑒于3-5 GHz頻段頻譜的最新分配以及天線設計復雜度的增加，人們需要使用全新的混合波束成形和移相拓撲架構。大規模MIMO系統采用混合架構，以最大限度地降低高能耗數字處理需求和減少功率放大器組件的數量。這些混合架構可在數字和模擬之間實現絕佳平衡，因而既能獲得數字波束成形的靈活性，又能受益于模擬射頻前端（RFFE）的功率效率和簡單設計。
采用兩個背靠背pSemi SP4T開關選擇不同的移相步進，使混合波束成形架構中使用的模擬波束控制成為可能。這種移相拓撲架構可高效改善有源天線系統中的天線波束控制方式。
pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示：“有源天線系統正在推動RFFE組件需求急劇增長，同時對先進5G網絡的FR1開關性能要求也越來越高。作為射頻和毫米波開關領域的行業領導者，pSemi將繼續推動SOI技術的發展，并設計射頻集成電路解決方案，為基站基礎設備制造商提供支持，滿足5G及更先進網絡的需求。”
高線性度射頻開關的特點和優勢
支持1.8-5 GHz頻率范圍的每個UltraCMOS? PE42443和PE42444開關在n41、n77、n78和n79頻段均提供業界領先的射頻性能。PE42443（需正負電源電壓供電）和PE42444（僅需正電源電壓供電）采用4 x 4 mm LGA封裝，可設計成管腳到管腳兼容配置。
·頻譜效率高——高線性度和高功率處理，可最大限度地提高數據吞吐量。
·節能——低插入損耗可提高整體系統效率。
·波束管理靈活——開關速度快，可支持符號級模擬波束調整，便于設計實現大規模MIMO系統。
