2月10日,又一家華為哈勃投資的半導(dǎo)體企業(yè),被譽(yù)為“充電樁芯片第一股”東微半導(dǎo)正式上市!

公開信息顯示,蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱以“東微半導(dǎo)體”)A股股票將在科創(chuàng)板上市交易。該公司A股股本為6,737.6367萬(wàn)股,其中1,424.9202萬(wàn)股于2022年2月10日起上市交易。

據(jù)維科網(wǎng)電子工程了解,東微半導(dǎo)體是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動(dòng)型半導(dǎo)體企業(yè),有著優(yōu)秀的半導(dǎo)體器件與工藝創(chuàng)新能力,是國(guó)內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗(yàn)的高性能功率器件設(shè)計(jì)公司之一。在其官網(wǎng)顯示,公司主要產(chǎn)品包括高壓超級(jí)結(jié)以及中低壓屏蔽柵MOSFET產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于充電樁、快速充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器等下游行業(yè)。

(源自東微半導(dǎo)體招股書)

華為哈勃3年斬獲第6個(gè)IPO

值得注意的是,企查查顯示,公司曾在2020年7月獲得華為哈勃投資,公司注冊(cè)資本由此前的約4425. 14 萬(wàn)人民幣,新增至約4758. 22 萬(wàn)人民幣,增幅達(dá)7.53%。根據(jù)東微半導(dǎo)體最新招股書顯示,華為哈勃持有公司333.0752萬(wàn)股,持股比例為7.00%。此外,東微半導(dǎo)體還獲得了中新創(chuàng)投、原點(diǎn)創(chuàng)投、聚源聚芯等知名機(jī)構(gòu)投資。

若按照華為哈勃入股價(jià)格22.6075元/股,持股數(shù)為333.0萬(wàn)股來(lái)計(jì)算。截止發(fā)稿,東微半導(dǎo)報(bào)收136.88元,哈勃投資此番投資回報(bào)高達(dá)6倍。

根據(jù)對(duì)外公開的消息,此前哈勃投資了多家國(guó)內(nèi)企業(yè),包括新港海岸、裕太車通、鯤游光電等等,目前華為哈勃投資的半導(dǎo)體公司登陸A股的不在少數(shù),此次東微半導(dǎo)體上市也意味著是今年以來(lái)哈勃投資入股的第二家成功上市的企業(yè),也是其成立近3年來(lái)斬獲的第6個(gè)IPO!前五個(gè)分別為天岳先進(jìn)、思瑞浦、東芯股份、燦勤科技、炬光科技。

招股書顯示,東微半導(dǎo)體登陸科創(chuàng)板擬投入募集資金合計(jì)93869.10萬(wàn)元,主要是投向超級(jí)結(jié)與屏蔽柵功率器件產(chǎn)品升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、新結(jié)構(gòu)功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)工程中心建設(shè)項(xiàng)目、科技與發(fā)展儲(chǔ)備資金等。隨著募投項(xiàng)目的實(shí)施,公司將進(jìn)一步加強(qiáng)其技術(shù)積淀,保持其產(chǎn)品領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),并在縱向深耕超級(jí)結(jié)功率器件領(lǐng)域、橫向拓展豐富產(chǎn)品線,打造全系列功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新平臺(tái)。

在客戶積累方面,東微半導(dǎo)體產(chǎn)品的終端應(yīng)用聚焦在工業(yè)級(jí)領(lǐng)域,同時(shí)也廣泛應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域。在工業(yè)及汽車相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域積累了新能源汽車直流充電樁領(lǐng)域的終端用戶如英飛源、英可瑞、特銳德、永聯(lián)科技等,5G基站電源及通信電源領(lǐng)域的終端用戶如華為、維諦技術(shù)、麥格米特等,以及工業(yè)電源領(lǐng)域的終端用戶如高斯寶、金升陽(yáng)、雷能、通用電氣等。在消費(fèi)電子領(lǐng)域中,公司積累了大功率顯示電源領(lǐng)域的終端用戶如視源股份、美的、創(chuàng)維、康佳等。

預(yù)計(jì)2021年?duì)I收7.72-8.03億元

東微半導(dǎo)體表示,報(bào)告期內(nèi),公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入分別為15283.52萬(wàn)元、19604.66萬(wàn)元、30878.74萬(wàn)元以及32082.43萬(wàn)元,保持了持續(xù)快速增長(zhǎng);公司歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)分別為1297.43萬(wàn)元、911.01萬(wàn)元、2768.32萬(wàn)元以及5180.53 萬(wàn)元,亦保持了快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

對(duì)于報(bào)告期內(nèi)公司業(yè)績(jī)的持續(xù)增長(zhǎng)的原因,東微半導(dǎo)體表示主要系受前述下游終端需求增長(zhǎng)、進(jìn)口替代等因素影響。為增強(qiáng)公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及保持產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力,公司不斷增加研發(fā)投入,擴(kuò)充人員規(guī)模。

但與此同時(shí),公司業(yè)績(jī)也與新能源汽車、5G通信、光伏等驅(qū)動(dòng)公司收入實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的下游行業(yè)發(fā)展規(guī)模增速有關(guān);另一方面,若宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展出現(xiàn)較大波動(dòng)則公司將面臨業(yè)績(jī)無(wú)法繼續(xù)保持報(bào)告期內(nèi)所實(shí)現(xiàn)的快速增長(zhǎng)的風(fēng)險(xiǎn)。

在2021年全年業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)方面,東微半導(dǎo)體預(yù)計(jì)2021年度營(yíng)業(yè)收入為77200萬(wàn)元至80300萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)150%至160%;預(yù)計(jì)2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為13200萬(wàn)元至15300萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)377%至453%;預(yù)計(jì)2021年度扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為12700萬(wàn)元至14,00萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)522%至620%。

按照產(chǎn)品類別來(lái)看,東微半導(dǎo)體的功率器件產(chǎn)品以具有更高技術(shù)含量的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品為主。報(bào)告期內(nèi),公司的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷售收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比例分別為81.48%、80.28%、80.66%及74.55%。由于高壓超級(jí)結(jié)產(chǎn)品應(yīng)用廣泛且國(guó)外廠商仍占據(jù)了較大的市場(chǎng)份額,公司在此領(lǐng)域內(nèi)擁有廣闊的進(jìn)口替代空間, 發(fā)展空間巨大。

形成多項(xiàng)核心技術(shù),研發(fā)投入維持穩(wěn)定

在技術(shù)先進(jìn)性上,東微半導(dǎo)體在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域形成多項(xiàng)核心技術(shù) 與專利,并成功將這些核心技術(shù)與專利應(yīng)用于功率器件產(chǎn)品之中,推動(dòng)了創(chuàng)新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。

截至2021年6月30日,公司已獲授權(quán)的專利53項(xiàng),包括境內(nèi)專利38項(xiàng), 其中發(fā)明專利37項(xiàng)、實(shí)用新型專利1項(xiàng),以及境外專利15項(xiàng)。2017年,公司獲得蘇州市超級(jí)結(jié)功率器件工程技術(shù)研究中心的稱號(hào)。

值得注意的是,雖然公司是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先公司,但從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上來(lái)看卻較為單一,尤其是以MOSFET產(chǎn)品為主的營(yíng)收占據(jù)了絕對(duì)地位。由此帶來(lái)的影響是,在新產(chǎn)品并最終實(shí)現(xiàn)大規(guī)模銷售需要一定的時(shí)間周期的基礎(chǔ)上,如果下游市場(chǎng)短期內(nèi)對(duì)MOSFET產(chǎn)品的需求增速 放緩,將會(huì)對(duì)公司的營(yíng)收和盈利能力帶來(lái)不利影響。

另一方面,若公司未來(lái)不能實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有功率器件產(chǎn)品的進(jìn)一步技術(shù)突破,或者研發(fā)出具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的第三代半導(dǎo)體材料功率器件,則公司的銷售收入增長(zhǎng)可能有所放緩,對(duì)公司的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)?cè)斐刹焕绊憽?/p>

據(jù)悉, 在新品研發(fā)上,東微半導(dǎo)體表示在未來(lái)幾年內(nèi)將繼續(xù)投入新型MOSFET、IGBT等功率器件的技術(shù)開發(fā),但由于半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)項(xiàng)目的周期較長(zhǎng),相關(guān)研發(fā)項(xiàng)目存在一定的不確定性, 若研發(fā)項(xiàng)目啟動(dòng)后的進(jìn)度及效果未達(dá)預(yù)期,或者研發(fā)的新技術(shù)或產(chǎn)品尚不具備商業(yè)價(jià)值,則大量的研發(fā)投入將影響公司的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī);若公司未來(lái)研發(fā)資金投入不足,則可能致使公司現(xiàn)有技術(shù)被趕超或被替代,進(jìn)而導(dǎo)致公司已有產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力下降,給公司未來(lái)業(yè)務(wù)拓展帶來(lái)不利影響。

此外,從研發(fā)投入上來(lái)看,報(bào)告期內(nèi)公司研發(fā)投入占比分別為10.49%、6.13%、5.18%、5.14%,研發(fā)投入整體保持穩(wěn)定,但相比于2018年超過(guò)10%的投入占比降低了不少。

維科網(wǎng)電子工程注意到,截至2021年6月30日,東微半導(dǎo)體招股書顯示研發(fā)人員合計(jì)為31人,占員工比例為46%。此外,公司研發(fā)部下設(shè)產(chǎn)品研發(fā)工程部以及應(yīng)用技術(shù)部,分別專注新型器件的研發(fā)以及研發(fā)過(guò)程中的執(zhí)行和輔助工作。

雖然說(shuō)按照該比例來(lái)看,符合技術(shù)驅(qū)動(dòng)型科技企業(yè)的特征,但相比國(guó)內(nèi)外可比企業(yè)規(guī)模非常小,尤其是目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)眾多, 對(duì)功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)人才需求缺口較大,運(yùn)用高薪或者股權(quán)激勵(lì)等方式吸引技術(shù)人員已逐漸成為行業(yè)內(nèi)的常規(guī)手段,導(dǎo)致行業(yè)內(nèi)人員流動(dòng)愈發(fā)頻繁。

此外,東微半導(dǎo)體還存在供應(yīng)商集中度高的風(fēng)險(xiǎn),報(bào)告期內(nèi),公司向前五名供應(yīng)商采購(gòu)內(nèi)容主要為晶圓及封裝測(cè)試服務(wù)等,合計(jì)采購(gòu)金額占當(dāng)期采購(gòu)總額的比例分別為 99.56%、99.29%、99.01%及 97.73%,其中向第一大供應(yīng)商采購(gòu)金額占當(dāng)期采購(gòu)總額比例分別為 83.59%、81.70%、80.19%及 72.85%。

功率半導(dǎo)體戰(zhàn)火雄燃,東微半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)何在?

作為電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,功率半導(dǎo)體主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。近年來(lái),隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費(fèi)電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場(chǎng),市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。良好的前景無(wú)疑吸引了諸多國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)入這一領(lǐng)域,行業(yè)內(nèi)廠商則在鞏固自身優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上積極進(jìn)行 市場(chǎng)拓展,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)正在加劇。

從市場(chǎng)占有率上看,東微半導(dǎo)體似乎在這一競(jìng)爭(zhēng)激烈的賽道上不具備優(yōu)勢(shì)。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)測(cè)算,2020年全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為9.4億美元,東微半導(dǎo)體市場(chǎng)份額為3.8%;2020年中國(guó)高壓超級(jí)結(jié)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模經(jīng)估算約為4.2億美元,東微半導(dǎo)體市場(chǎng)份額為8.6%。中低壓MOSFE市場(chǎng)方面,2020年全球中低壓MOSFET產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模為52.4億美元,東微半導(dǎo)體市場(chǎng)份額為 0.2%;2020年中國(guó)中低壓MOSFET產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模為24.1億美元,東微半導(dǎo)體市場(chǎng)份額為0.4%。整體上看,即便是自己的主營(yíng)產(chǎn)品,在全球或是中國(guó)市場(chǎng)來(lái)看都處在較低水平。

可以看到,在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,全球前十大功率半導(dǎo)體公司均為海外廠商 , 包括Infineon、TI、安森美、ST意法半導(dǎo)體、ADI、高通、瑞薩電子、三菱、羅姆半導(dǎo)體、Dialog。相比之下,目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善,技術(shù)也正在取得突破。同時(shí)也涌現(xiàn)了部分優(yōu)秀半導(dǎo)體功率器件企業(yè),比如吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、揚(yáng)杰科技、士蘭微、新潔能等,但從市場(chǎng)占有率上來(lái)看,海外廠商壟斷了近半數(shù)市場(chǎng)份額。

在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)看,東微半導(dǎo)體在2019年MOSFET銷售收入位列第七,其余中國(guó)本土領(lǐng)先功率半導(dǎo)體廠商MOSFET全球銷售收入如下圖所示:

綜合來(lái)看,受益于行業(yè)發(fā)展與國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇,東微半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高性能功率器件廠商,在全球MOSFET功率器件市場(chǎng)份額中已進(jìn)入中國(guó)本土企業(yè)前十。公司擁有強(qiáng)大的研發(fā)能力,產(chǎn)品性能國(guó)內(nèi)領(lǐng)先,產(chǎn)品規(guī)格豐富,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。公司還擁有強(qiáng)大的全球終端客戶基礎(chǔ),穩(wěn)定的供應(yīng)商關(guān)系提供產(chǎn)能保障,在特殊工藝方面持續(xù)技術(shù)合作,以及經(jīng)驗(yàn)豐富的管理團(tuán)隊(duì)。

但東微半導(dǎo)體也存在一定競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì),與英飛凌、安森美等經(jīng)歷了較長(zhǎng)時(shí)期的發(fā)展,積累了豐富的技術(shù)及經(jīng)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)的國(guó)際廠商相比,公司成立時(shí)間較短,技術(shù)儲(chǔ)備及品牌知名度相較國(guó)際廠商有所不足,產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間較短,品牌知名度與影響力與國(guó)際廠商相比較相對(duì)較弱,因此在拓展新客戶時(shí)可能會(huì)存在一定競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。

此外,東微半導(dǎo)體無(wú)法像國(guó)外廠商一樣產(chǎn)品線豐富,涵蓋功率半導(dǎo)體各個(gè)層面。東微半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品為硅基MOSFET產(chǎn)品,銷售收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比例均超過(guò)99%,這也導(dǎo)致在與產(chǎn)品線更為完整的國(guó)際廠商競(jìng)爭(zhēng)時(shí),主力產(chǎn)品單一可能會(huì)存在一定競(jìng)爭(zhēng)劣勢(shì)。雖然不斷朝第三代半導(dǎo)體材料以及集成化、模塊化發(fā)展,但總體而言東微半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體材料的研發(fā)進(jìn)展相對(duì)落后于國(guó)際領(lǐng)先廠商。

最后也是最重要的一方面,與同行可比公司具體財(cái)務(wù)指標(biāo)對(duì)比來(lái)看,無(wú)論是營(yíng)業(yè)收入、凈利潤(rùn)、總資產(chǎn)以及凈資產(chǎn)等財(cái)務(wù)指標(biāo)來(lái)看,東微半導(dǎo)體的整體經(jīng)營(yíng)規(guī)模與同行業(yè)可比公司相比較小,在產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中與上游供應(yīng)商、下游客戶的議價(jià)能力可能較弱。