2021年是半導體的大年，缺芯和國產替代，為國內半導體公司打入手機、家電、汽車、光伏等供應鏈創造了巨大的機遇。同時國內半導體公司也非常爭氣，產品線不斷突破，PMIC、SOC、MCU、IGBT、ADC、IPM等都有長足的進步，抓住了難得的彎道超車機會，市場份額提高，銷售爆發。

　　2021年回顧

　　2021年的上下半年有著明顯的差異，2021H1在芯片供給不足的刺激下，消費電子、家電、汽車和光伏等行業紛紛搶囤芯片，而且出現過度訂貨的現象，例如某企業原先只需要準備1-2個月的芯片庫存，但害怕搶不到芯片，愣是下了半年的訂單。結果就是2021年上半年的芯片全面缺貨和漲價，A股芯片公司的業績都很好，從設計、代工、封測，到IDM、半導體設備、半導體材料，2021年的Q1和Q2業績均爆發式增長，股價普遍上漲。但這種普漲，讓市場忽視了產品的差異性，不是所有芯片都能持續放量的，關鍵要看下游需求的持續性如何？

　　到了2021H2，半導體產業開始分化，手機、家電、掃地機器人的需求仍然疲軟，SoC芯片、Dram等數字芯片開始呈現乏力跡象，相關的A股公司季度業績環比增速變得低增長、不增長或者下降，股價開始回落。而下游需求非常強勁的IGBT、PMIC等功率半導體仍然供不應求，相關公司的業績繼續高增長，因此斯達半導、時代電氣、揚杰科技、士蘭微等公司股價在2021年的10-11月出現了第2波上漲。

　　總體而言，2021年是半導體價格普漲的年份，其實分不清什么是alpha，什么是beta？2022年將大家將清晰看到地哪些公司實現了產品和技術領域的突破？哪些只是漲價帶來的雞犬升天？因此，今年半導體產業景氣度肯定會走向分化，當市場看到景氣度下行的時候依然有公司呈現高速增長，市場就會甄別出真正的alpha，相應的公司股價也會有非常好的表現，關鍵是怎么甄別這種公司，而非投資一個純粹beta的公司。對于數字芯片or邏輯芯片，下游需求無論手機、筆記本、電視等消費電子都非常低迷，臺積電過去投資主要集中在先進制程，因此先進制程（存儲、邏輯、Soc等）芯片在2022年會出現過剩的狀態，大概從2021H2就已經能看到。

　　2022年展望

　　我一直都說，股票是研究未來和變化的學問，預期總是走在兌現之前。例如封測的長電，2020年初就漲到800億，而站在當時，只能看到2019年1億利潤，就算展望2020年，也不過10億利潤，說明800億市值是反應2021年20億利潤，而真到2021年做到>20億利潤，長電市值已經奔500億去了，同樣的例子還有兆易和HRW，不展開。

　　2021年半導體公司股價大漲有著極強的基本面支撐，業績都是大幅爆發，持續性的強弱又跟環比變化有關，但股價已經包含了2022年較高的預期。因此，今年半導體公司股價能否繼續爆發，需要從兩方面考慮：1）業績能否繼續超預期；2）產品線能否突破，產品線突破就意味著增加賽道，貢獻增量。

　　功率半導體需求受到新能源車、光伏、風電的影響，而出現超預期增長，預計22年產能供給釋放非常有限，22Q1產能相對21Q4環比沒有太大增長，全年產能釋放都會非常有限，因此產能緊缺周期會比想象的更長。不過就算功率半導體，需求也出現分化，低壓和平面Mos開始降價，SGT和高壓Mos繼續強勢，碳化硅和IGBT就更不用說，均在新能源車、光伏、儲能、風電等“碳中和”領域有著大量的應用。

　　邏輯于此，展望未來，重點得看產品能否取得突破性發展？或者產品能否持續高增長？基于這兩點，繼續看好功率半導體，特別是SiC和IGBT方向。

　　碳化硅，滲透率加速提高

　　SiC的核心需求還是新能源汽車，2021年前11個月，中國新能源汽車的銷量達到251萬輛，全年預計340萬輛，2022年有望超過500萬輛。伴隨著新能源汽車滲透率的提高，充電的便捷性問題就成為越來越多廠商宣傳的賣點。續航能力和充電時長是影響電動車普及程度的重要因素，使用碳化硅能夠很好地解決電動車充電的焦慮。小鵬汽車公布首個量產的800V高壓SiC平臺，充電峰值電流超過600A，采用高能量密度、高充電倍率電池，充電5分鐘最高可補充續航200公里。國內電動車廠商如吉利極氪、廣汽埃安、比亞迪e平臺、理想汽車、北汽極狐、嵐圖等也已經布局800V快充技術。

　　展望接下來的趨勢變化，將來碳化硅在快充中的推廣應用會比電驅快，核心的制約因素是成本和產能。如果在電驅使用碳化硅，中高端車型中使用硅基IGBT的總體成本約為3000元左右，碳化硅器件成本約為硅基IGBT的3倍，在相同性能的產品中，碳化硅器件可使汽車續航能力提升4-5%，性價比非常明顯，花3倍的價錢只提高5%的性能，并不劃算。而SiC快充是核心焦慮，如果快充越來越強大，為什么還要花大價錢提高續航里程呢？這本身就非常茅盾，而且電池還非常重。

　　SiC供給難點很多。SiC長晶的生長極為緩慢，每小時僅生長0.2-0.3mm，200多種晶型僅一種可用（SiC-4H），且晶棒切割難度大，因此碳化硅襯底從樣品到穩定批量供貨大約需要5年；另一方面，作為碳化硅器件性能及可靠性的關鍵，高壓器件用、低缺陷密度且均勻摻雜的碳化硅外延工藝難度大；疊加離子注入、柵氧可靠性及客戶驗證等器件端挑戰，碳化硅市場進入壁壘高，技術挑戰大。目前，全球碳化硅襯底產能折合4寸約60萬片，再除去供應射頻行業的半絕緣型襯底15-20萬片，能供應功率半導體的4寸SiC襯底只有40-45萬片。供應Tesla這一家公司都嫌不夠，Tesla的電驅和OBC都用SiC，4寸碳化硅只夠2輛車，這都還沒考慮襯底-外延-晶圓-器件等每個環節良率的損耗。

　　SiC需求爆發會比想象中更多。先不說電驅和光伏對SiC的應用，就單說快充OBC對SiC的需求，就會大超想象。從下圖看到，電動車快充需要用到10個碳化硅Mos和10個碳化硅SBD，20個芯片，每個芯片（Die Size）面積約35平方毫米，6寸的碳化硅襯底最多只能切：17663/35-471/8.2=450個芯片，考慮襯底-外延-晶圓-器件等每個環節的良率，綜合良率80%，大致能夠制造360個合格SiC芯片，相當于滿足18輛車的快充。假定2025年全球的電動車銷量達到2000萬輛，到時90%都用快充，對6寸SiC襯底的需求將達100萬片。如果考慮電驅和光伏，即使只用20%，需求還將增加1倍。

　　由于SiC襯底制造難度大、良率低，擴產難度高，2025年都很難滿足需求，更不用談SiC全面替代IGBT。

　　相關供應鏈：國外就不說了，就簡單提下國內公司。三安和華大半導體做全產業鏈，襯底主要是山東天岳，外延是東莞天域和廈門的瀚天天成，芯片是中電55所。封裝比較多，斯達用科銳的芯片給小鵬G9供800V方案，士蘭微也在發力。

　　IGBT，仍是電驅的主力

　　前面已經講到，現階段SiC受制于晶體生長速度，擴產緩慢，襯底制造的良率還不高，相同性能的價格是IGBT的3倍，經濟性不好；只有OBC快充恰好解決電動車里程焦慮的問題，因此迫切性很高，而且SiC快充解決了里程焦慮，為什么還要用更貴的SiC去提高續航里程呢？未來10年，SiC的成本很難降下來，各種理想化的情況成本也是硅基的1.5倍，SiC不可能徹底替代IGBT或者MOS，就像IGBT也沒有徹底替代Mos。所以，SiC和IGBT還會共存很長時間，IGBT仍會是電驅里的主力芯片，在光伏逆變器的地位也會差不多。

　　IGBT供應缺口。從產業鏈調研反饋看，主要廠商的IGBT供應只能滿足7-8成，今年電動車仍將快速增長，所以缺口很難縮小，最快也要到2023年下半年。

　　相關公司：IDM有士蘭微和、華潤微和中車時代；Fabless有斯達、新潔能等。

　　半導體的下跌與偏離

　　我經常說：“市場在短期會失效，長期卻是有效的，會糾偏?！崩斫馐袌霾拍茏プ《唐谄畹臋C會，但這對投資者的素質和能力要求極高，所以大部分人會選擇隨大勢。半導體現在處于預期非常混亂的時期，前面提到今年需要抓半導體的alpha，必須找到今年業績還能持續高增長的公司。然而這一點，知易行難，此時誰敢拍著胸脯說某公司今年業績一定能高增長呢？高估值必須有高增長預期，兩者需要匹配，記住，是高增長預期，過去的高增長只是過去。

　　半導體經過去年的高增長，今年許多公司的增速會放下來，從100%，200%增長，下降到50%甚至30%、20%，市場基于線性思維，就會預期接下來的增速繼續放緩，從而降低估值。站在當前50倍PE、100倍PE的背景下，胸有成竹地認定公司業績還能繼續爆發，甚至超預期，比較難！除非研究非常深入，只有極少數人能做到。股價在上漲趨勢和下跌趨勢，往往反映多數人的預期，高點減倉和低位抄底往往是研究深入者的機會。

　　半導體現在就是這種情況，許多公司的業績增速在2022年會下降，市場先整體殺估值，或許少數公司今年還會有alpha，但大家看不清，不敢完全相信，只能看圖先回避。等業績、訂單重新確認某公司仍有alpha的時候，再重新買回來。

　　我認為，現在半導體的股價下跌已經在price in業績增速的下降，是否會過度反應卻很難判斷？展望今年，產品突破和維持高增長的方向不多，SiC和IGBT都有巨大的潛力，產品供不應求，經歷波折，今年仍會走出alpha。