12月8日消息，佛山市國星光電股份有限公司（以下簡稱“國星光電”或“公司”）發(fā)布公告表示，于2020年4月29日公司披露《關(guān)于公司取得土地證的公告》（2020－028），公司于2020年4月已完成其中約60畝土地使用權(quán)（面積40，087．91平方米）的權(quán)屬登記手續(xù)。
因地塊分兩次競拍取得，公司于近日完成全部約82畝地塊的土地權(quán)屬證書辦理工作，并取得了佛山市自然資源局頒發(fā)的《中華人民共和國不動產(chǎn)權(quán)證書》。
國星光電表示，本次取得的土地使用權(quán)主要是用于吉利產(chǎn)業(yè)園項目的建設，布局先進的LED封裝及應用生產(chǎn)線，重點擴充Mini LED、小間距、TOP LED等產(chǎn)品的產(chǎn)能規(guī)模，有助于持續(xù)提升公司綜合體量和競爭實力，對公司的中長期發(fā)展帶來積極影響。
公開資料顯示，國星光電成立于1969年，注冊資本6．2億元，是廣東省屬國有獨資重點企業(yè)廣晟集團的控股上市公司，專業(yè)從事研發(fā)、生產(chǎn)、銷售LED及LED應用產(chǎn)品，是國內(nèi)第一家以LED為主業(yè)首發(fā)上市的企業(yè)，也是最早生產(chǎn)LED的企業(yè)之一。
經(jīng)過52年的改革發(fā)展，國星光電現(xiàn)已成為廣晟集團電子信息板塊的主力軍、我國LED封裝行業(yè)的龍頭企業(yè)，在全球LED封裝行業(yè)占據(jù)重要地位，顯示器件市場規(guī)模名列國內(nèi)前茅，白光器件市場規(guī)模位居高端應用領(lǐng)域國內(nèi)前列，組件產(chǎn)品為國際知名家電企業(yè)的核心戰(zhàn)略供貨商。
維科網(wǎng)注意到，國星光電在此前公布的投資者關(guān)系活動記錄表中提到，公司一直高度關(guān)注三代半領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展與技術(shù)研究，致力于打造高可靠性、高品質(zhì)的功率器件封測業(yè)務。在上游芯片領(lǐng)域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片；中游封裝領(lǐng)域，公司已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產(chǎn)線；下游應用領(lǐng)域公司也在積極與相關(guān)企業(yè)洽談戰(zhàn)略性合作，并針對客戶的應用需求定制開發(fā)樣品等。
首先，LED 封測轉(zhuǎn)向氮化鎵封測在技術(shù)上、工藝上、可靠性、能力上具有天然的優(yōu)勢；其次，公司下游客戶也會用到第三代半導體相關(guān)功率器件，具有客戶渠道協(xié)同的優(yōu)勢；同時，國星光電還具有外延芯片上的技術(shù)積累優(yōu)勢，子公司國星半導體有硅基氮化鎵芯片相關(guān)技術(shù)儲備。
在Mini＆Micro領(lǐng)域的產(chǎn)品及技術(shù)布局方面，國星光電表示，聚焦Mini＆ Micro LED超高清顯示領(lǐng)域， 持續(xù)推出有核心競爭力的產(chǎn)品系列：Mini LED方面，公司研發(fā)覆蓋了Mini直顯P0．4到P0．9全系列產(chǎn)品，其中Mini LED P0．4系列產(chǎn)品為全球首發(fā)，采用獨創(chuàng)20in1封裝方式，是目前全球封裝密度最高的Mini產(chǎn)品；Mini背光方面，公司儲備Mini POB、Mini COB、Mini COG三大技術(shù)路線，可滿足不同客戶定制化需求；Micro LED方面，發(fā)揮子公司國星半導體與本部上下游聯(lián)動優(yōu)勢，巨量轉(zhuǎn)移工藝取得突破性進展，產(chǎn)品良率高，同時國星半導體已開發(fā)了面向于P0．3間距及面向P0．1間距的Micro LED芯片系列，并實現(xiàn)小批量供貨給國星光電研究院。
值得注意的是，國星光電經(jīng)過2020年下半年以來的戰(zhàn)略調(diào)整，加上公司向全資子公司國星半導體2．2億元增資計劃的穩(wěn)步推進，其產(chǎn)品結(jié)構(gòu)得到進一步優(yōu)化：目前國星半導體以RGB 芯片、倒裝芯片、紫光芯片等利基型產(chǎn)品為主，同時研發(fā)布局Mini 和 Micro領(lǐng)域，形成了Mini背光和Mini顯示兩大系列的芯片產(chǎn)品，同時發(fā)揮上下游垂直聯(lián)動的優(yōu)勢，協(xié)同本部研究院進行Micro LED關(guān)鍵技術(shù)的攻關(guān)；在第三代半導體領(lǐng)域，聯(lián)合多所高校及研究所，發(fā)揮產(chǎn)學研協(xié)同優(yōu)勢，展開GaN功率器件、紫外探測器芯片、深紫外UVC芯片等方向的研發(fā)工作，參與兩項第三代半導體方向的省級研發(fā)項目。
