三菱電機于11 月 9 日舉行了功率器件業(yè)務的業(yè)務說明會，并宣布將在未來五年內(nèi)向功率半導體業(yè)務投資 1300 億日元，直至 2025 年。該公司計劃在廣島縣福山市新建一條 12 英寸晶圓生產(chǎn)線，并計劃到 2025 年將其產(chǎn)能比 2020 年翻一番。

根據(jù)官方消息披露，三菱電機目前正在福山工廠建設 8 英寸和 12 英寸生產(chǎn)線。8英寸生產(chǎn)線將于2021年11月開始試運行，并計劃于2022年春季開始量產(chǎn)。12英寸線的量產(chǎn)目標是2024年。

三菱電機表示，新的12英寸生產(chǎn)線具有通過增加硅片直徑和通過自動化提高生產(chǎn)力的優(yōu)勢，以及通過在內(nèi)部增加載流子存儲層實現(xiàn)低損耗的獨特“CSTBT cell結(jié)構(gòu)”晶圓。通過這種改進，三菱電機希望能夠?qū)崿F(xiàn)低損耗和提高生產(chǎn)率，三菱電機也將把它應用到 RC-IGBT 上，以實現(xiàn)其產(chǎn)品的差異化，而汽車領域和消費領域?qū)⑹枪具@些產(chǎn)品的首個目標市場。

此外，據(jù)日媒報導，關于使用碳化硅（SIC）的次世代功率半導體，三菱電機常務執(zhí)行董事齋藤讓于9日舉行的事業(yè)說明會上表示，在熊本工廠擁有充足產(chǎn)能、今后將視汽車業(yè)界動向來評估是否進行追加投資。