近期，各大存儲原廠陸續(xù)公布最新財報，在存儲市場需求利好等因素推動下，三星、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)等均交出了亮眼成績單。

01 存儲需求帶動，原廠業(yè)績上漲

三星電子（Samsung）

10月28日，三星電子公布截至2021年9月30日的第三季度財務(wù)業(yè)績。該季度三星營收達(dá)到73.98萬億韓元（約630億美元），較上年同期增長10%，創(chuàng)下歷史新高。營業(yè)利潤較上一季度增長26%至15.82萬億韓元（133.9億美元），為歷史第二高。三星表示，內(nèi)存繼續(xù)保持有利的市場條件，代工和顯示器業(yè)務(wù)實現(xiàn)強勁銷售，這些因素帶動業(yè)績上漲。

其中，三星存儲部門營收20.83萬億韓元（178億美元），環(huán)比增長17%，同比增長46%。

三星透露，內(nèi)存業(yè)務(wù)方面，整體價格形勢依然有利，尤其是在服務(wù)器銷售顯著增長的支持下，季度位元出貨量創(chuàng)下新紀(jì)錄。NAND方面，服務(wù)器SSD需求隨著主要服務(wù)器客戶投資的增加而恢復(fù)，數(shù)據(jù)中心對高容量產(chǎn)品的需求強勁，基于新CPU采用刺激的高容量趨勢。由于新機型的推出，移動市場需求一直穩(wěn)固。

SK海力士（SK Hynix）

10月26日，SK海力士發(fā)布截至2021年9月30日的2021財年第三季度財務(wù)報告。該公司2021財年第三季度結(jié)合并收入為11.805萬億韓元（100億美元），環(huán)比增長14%，同比增長45%。營業(yè)利潤為4.172萬億韓元（35.3億美元），凈利潤為3.315萬億韓元（約28億美元）。

SK海力士自成立以來創(chuàng)下了歷史最高的季度收入，該公司表示，用于服務(wù)器和移動應(yīng)用的存儲器的需求增加以及產(chǎn)品價格上漲是季度收入刷新歷史最高紀(jì)錄的主要原因。值得關(guān)注的是，SK海力士的NAND閃存事業(yè)在第三季度度終于轉(zhuǎn)虧為盈。

同時，該季SK海力士提高了1znm DRAM和128層4D NAND閃存等主流產(chǎn)品的良率，并擴大了主流產(chǎn)品的生產(chǎn)比率。

美光科技（Micron）

9月28日，美光科技公布2021年第四季度財報。該季美光實現(xiàn)營收82.74億美元，同比增長36.6%。凈利潤為27.2億美元，同比增長175.3%。美光2021財年總營收為277.05億美元，同比增長29.3%，凈利潤為58.61億美元，同比增長118.1%，2021財年美光順利收官。

業(yè)界認(rèn)為，多重因素推動美光科技業(yè)績上漲，包括疫情推動遠(yuǎn)程工作和在線學(xué)習(xí)進(jìn)而提升云存儲需求，數(shù)據(jù)中心運營商增加容量，以適應(yīng)云服務(wù)的需求激增等。

西部數(shù)據(jù)（Western Digital）

10月28日，西部數(shù)據(jù)公布2022財年第一季度財務(wù)業(yè)績（截至2021年10月1日）。該季西數(shù)收入約為51億美元，同比增長29%。其中，F(xiàn)lash收入25億美元，環(huán)比增長3%，同比增長20%。

按照部門劃分，該季西數(shù)云收入增長 72%，客戶收入增長 6%，消費者收入同比增長 10%。西數(shù)認(rèn)為，不同終端市場的強勁需求，尤其是云產(chǎn)品的強勁需求等因素推動公司業(yè)績上漲?？蛻舳朔矫?，西數(shù)閃存業(yè)務(wù)同樣實現(xiàn)了增長，特別是在移動、游戲、汽車、物聯(lián)網(wǎng)和工業(yè)應(yīng)用方面。

02 擴產(chǎn)、DDR5、HBM3…原廠大動作盤點

財報亮眼的背后，原廠對產(chǎn)業(yè)的積極布局也受到關(guān)注。今年各大原廠在存儲市場持續(xù)發(fā)力，帶來了諸多新產(chǎn)品、新技術(shù)，并對外公布了投資與擴產(chǎn)新進(jìn)展。

三星電子（Samsung）

3月10日，三星宣布推出首款DRAM-less NVME 980固態(tài)硬盤，面向普通電腦用戶、游戲玩家以及內(nèi)容創(chuàng)業(yè)者。產(chǎn)品提供高達(dá)3500MB/s和3000MB/s順序讀寫速度，隨機讀寫性能達(dá)到500K和400K。

5月，三星發(fā)布了業(yè)界首款CXL（Compute Express Link，計算快速鏈接）內(nèi)存擴展器，官方表示其能將內(nèi)存容量和帶寬擴展至超過當(dāng)今服務(wù)器系統(tǒng)所能達(dá)到的水平，10月三星又為CXL推出了開源軟件解決方案：可擴展內(nèi)存開發(fā)工具包（SMDK），以擴大CXL內(nèi)存平臺的采用。

8月24日，三星在Hot Chips 33會議上展示了其在內(nèi)存內(nèi)處理（PIM）技術(shù)方面的最新進(jìn)展。三星首次成功將基于PIM的高帶寬存儲器（HBM-PIM）整合到商用化加速器系統(tǒng)中，并擴大PIM應(yīng)用范圍至DRAM模組和移動內(nèi)存，從而加速實現(xiàn)內(nèi)存和邏輯的融合。三星計劃與其他行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作，在明年上半年實現(xiàn)PIM平臺標(biāo)準(zhǔn)化，從而擴展AI內(nèi)存產(chǎn)品組合。

10月12日，三星宣布量產(chǎn)14納米EUV DDR5 DRAM。繼去年3月三星推出首款EUV DRAM后，三星將EUV層數(shù)增高至5層，實現(xiàn)了自身最高單位容量。三星介紹，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%功耗。

據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)，三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前DDR5產(chǎn)品所未有的速度：高達(dá)7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星還計劃擴展其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級計算機和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。另外，三星計劃將其14納米DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好滿足快速增長的數(shù)據(jù)需求。

同樣在10月，三星在第五屆代工論壇（SFF）上公布芯片工藝技術(shù)路線圖，三星表示GAA（全環(huán)繞柵極晶體管工藝）已準(zhǔn)備好供客戶采用，2022年量產(chǎn)3納米，2025年預(yù)計量產(chǎn)2納米。此外，三星透露正推進(jìn)14納米工藝，以支持3.3V高電壓或閃存型嵌入式MRAM（eMRAM），從而提高寫入速度和密度。

SK海力士（SK Hynix）

今年2月1日，SK海力士宣布M16新廠竣工，該工廠于2018年11月開建，總投資3.5萬億韓元，將主要生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品。SK海力士首次在M16配備EUV（極紫外）光刻機，該公司計劃運用EUV光刻機，從今年下半年起生產(chǎn)第四代1a納米級DRAM產(chǎn)品。

3月8日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品處理速度高達(dá)6400Mb/s，與至今搭載于智能手機的移動端DRAM（LPDDR5，5500Mb/s）相比提升約20%。

7月12日，SK海力士宣布已開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的8Gigabit（Gb）LPDDR4移動端DRAM產(chǎn)品。這是SK海力士首次采用EUV技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)的DRAM，穩(wěn)定支持LPDDR4移動端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%。SK海力士還計劃從明年初開始將1a納米級工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

10月20日，SK海力士宣布開發(fā)業(yè)界第一款HBM3 DRAM（第四代高寬帶內(nèi)存技術(shù)），能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，通過內(nèi)置型ECC校檢可以自身修復(fù)DRAM單元(cell)的數(shù)據(jù)的錯誤，因此產(chǎn)品的可靠性也大幅提高。此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。其中，24GB是業(yè)界最大的容量。

10月29日，SK海力士宣布將以5760億韓元（4.93億美元）收購總部位于韓國的晶圓代工廠商Key Foundry。Key Foundry是韓國一家8英寸晶圓代工廠商，去年9月從MagnaChip半導(dǎo)體公司獨立出來，每月產(chǎn)能為8.2萬片8英寸晶圓，能夠生產(chǎn)用于消費、通訊、電腦、汽車與工業(yè)應(yīng)用的芯片。SK海力士表示，期待此次收購將使其目前的8英寸代工產(chǎn)能翻一番。

美光科技（Micron）

今年1月27日，美光宣布批量出貨基于1α (1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品，提供8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現(xiàn)有的DDR4和LPDDR4系列產(chǎn)品延長生命周期。美光今年將1α節(jié)點全面導(dǎo)入其DRAM產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的DRAM應(yīng)用領(lǐng)域。

6月，美光宣布批量出貨基于1α節(jié)點的LPDDR4x和DDR4產(chǎn)品，同時還宣布出貨搭載176層NAND的PCIe 4.0固態(tài)硬盤。

7月，美光將上述NAND技術(shù)和性能成功應(yīng)用于智能手機領(lǐng)域，宣布批量出貨全球首款基于176層NAND技術(shù)的通用閃存UFS 3.1 移動解決方案。據(jù)悉，該產(chǎn)品為高端旗艦手機量身打造，與前代產(chǎn)品相比可實現(xiàn)高達(dá)75%的順序?qū)懭牒碗S機讀取性能提升。

10月20日，美光宣布計劃在未來十年內(nèi)投資1500億美元，用于內(nèi)存制造和研發(fā)（R&D），包括提高晶圓廠的產(chǎn)能，以滿足內(nèi)存不斷增長的需求。稍早之前，美光被報道其計劃在日本廣島市新建一座DRAM芯片廠，有望在2024年投入運營，旨在滿足中長期數(shù)據(jù)中心及其他應(yīng)用的需求。

西部數(shù)據(jù)（Western Digital）

今年2月，鎧俠與西部數(shù)據(jù)宣布兩家公司已經(jīng)開發(fā)出第六代162層3D閃存技術(shù)。與上一代相比，新的3D閃存技術(shù)降低了每比特成本，并且將每片晶圓可制造的比特數(shù)提高了70%。

9月，西部數(shù)據(jù)在上海HDD Reimagine大會上宣布推出了全新閃存增強型磁盤架構(gòu)設(shè)計，將用于西部數(shù)據(jù)的企業(yè)級硬盤系列產(chǎn)品和存儲平臺中。

這一基于OptiNAND技術(shù)的全新磁盤架構(gòu)設(shè)計，整合了西部數(shù)據(jù)在HDD（硬盤驅(qū)動器）和閃存領(lǐng)域的創(chuàng)新能力，對HDD進(jìn)行了優(yōu)化，并將HDD與iNAND嵌入式閃存器件進(jìn)行了集成。

西數(shù)已向部分客戶交付采用OptiNAND技術(shù)的新款九磁碟、20TB ePMR閃存增強型硬盤樣品。西數(shù)透露，該架構(gòu)設(shè)計將用于西部數(shù)據(jù)的企業(yè)級硬盤系列產(chǎn)品和存儲平臺中。

10月，西數(shù)宣布11月開始批量出貨采用OptiNAND 技術(shù)的 20TB 硬盤。

鎧俠（KIOXIA）

2月，鎧俠與西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)開發(fā)出第六代162層3D閃存技術(shù)，3月鎧俠表示開始在日本四日市廠區(qū)建設(shè)新廠房以支持第六代3D閃存生產(chǎn)。

鎧俠透露，新廠一期施工計劃于2022年春季完工。施工將分為兩個階段，旨在確保尖端閃存產(chǎn)品的持續(xù)生產(chǎn)和出貨，以滿足持續(xù)的市場需求。 

9月，鎧俠對外展示了基于PCIe 5.0的下一代高性能SSD解決方案，與市面主流PCIe 4.0 SSD 7 GB/s順序讀取速度相比，鎧俠演示的 PCIe 5.0 SSD，已將順序讀取翻倍到了14 GB/s 以上，順序?qū)懭胍灿?GB/s。鎧俠計劃在2021年4季度推出首款 PCIe 5.0 x4 SSD。

英特爾（Intel）

英特爾決定將NAND閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士后，該公司的存儲業(yè)務(wù)重心便落到了傲騰身上。

今年以來英特爾發(fā)布了多款傲騰產(chǎn)品，如傲騰持久內(nèi)存200系列、傲騰固態(tài)盤SSD P5800X、NAND固態(tài)盤SSD D5-P5316、傲騰SSD P1600X等，進(jìn)一步強化了內(nèi)存和存儲產(chǎn)品組合。

除此之外，今年8月英特爾透露其下一代客戶端架構(gòu)酷睿處理器Alder Lake支持DDR5和PCIe 5.0。10月，英特爾Alder Lake正式發(fā)布，伴隨Alder Lake的問世，近期已有多家模組廠商宣布推出DDR5產(chǎn)品。

03 存儲市場后續(xù)發(fā)展，原廠怎么看？

展望第四季度與2022年，原廠在最新財報中都表達(dá)了較為樂觀的看法。

三星透露，第四季度公司將專注于滿足對內(nèi)存和系統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，即使部分客戶的組件短缺可能會影響需求。公司還將通過加強在高端細(xì)分市場的領(lǐng)導(dǎo)地位和陣容，在成品業(yè)務(wù)中保持穩(wěn)健的盈利能力。

展望2022年，三星在存儲器業(yè)務(wù)方面，計劃通過量產(chǎn)14納米DRAM和第7代V-NAND以及基于行業(yè)領(lǐng)先的極紫外(EUV)技術(shù)的下一代產(chǎn)品來提高成本競爭力。同時，三星還將繼續(xù)擴大15納米DRAM和128層V-NAND的部分，積極應(yīng)對服務(wù)器市場，并搶占安全NAND解決方案產(chǎn)品的需求。

SK海力士預(yù)測未來存儲器市場需求將穩(wěn)步增長，公司今后在靈活應(yīng)對市場環(huán)境變化的同時，專注與確保獲利性。此外，SK海力士期待年內(nèi)完成收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，最近轉(zhuǎn)虧為盈的公司NAND事業(yè)部門的競爭力將更加強。

美光預(yù)計2022年存儲器需求將由不斷增長的數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器部署、5G手機出貨以及汽車和工業(yè)市場的持續(xù)強勁拉動。但從短期的需求看，由于PC OEM客戶遭遇其他零部件短缺問題，影響到對存儲芯片的采購；此外美光自身供應(yīng)鏈也面臨部分IC產(chǎn)品短缺，也會影響存儲器產(chǎn)品的出貨。

西數(shù)則預(yù)計，下一季度公司閃存業(yè)務(wù)營收將環(huán)比上升。

04 需求成長力道將小于供給，2022存儲市場進(jìn)入跌價周期？

盡管原廠對存儲市場后續(xù)發(fā)展持樂觀的態(tài)度，但存儲市場呈現(xiàn)的供需變化態(tài)勢仍值得業(yè)界留意。

全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新調(diào)查預(yù)測，2022年DRAM的供給位元成長率約17.9%，然而由于目前買方庫存水位已偏高，加上2022年需求位元成長率僅16.3%，低于供給端成長速度，2022年DRAM產(chǎn)業(yè)將由供不應(yīng)求將轉(zhuǎn)至供過于求，進(jìn)入跌價周期。

NAND Flash方面，集邦咨詢預(yù)估供給位元年增長率約31.8%；而需求位元年成長幅度為30.8%，在需求成長收斂，而在供應(yīng)商針對高層數(shù)產(chǎn)品的激烈競爭下，將使2022年整體NAND Flash市場同樣進(jìn)入跌價周期。

存儲市場供需出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，DRAM、NAND Flash將進(jìn)入跌價周期。這一形勢下，存儲企業(yè)將何去何從？敬請關(guān)注集邦咨詢即將舉辦的“MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會”，助您從中找到答案。