如今，隨著半導體制程技術越來越先進，對于制造芯片的機械設備的要求也越來越高，于是荷蘭ASML公司生產的EUV光刻機成為半導體制程技術的關鍵生產設備。但是，由于EUV光刻機造價高昂，每臺價格超過1億美元，并且EUV光刻機制造難度大，產能嚴重不足等原因，使得各大芯片生產公司瘋狂搶奪EUV光刻機，并且如果缺少光刻機的話，芯片的生產成本將大幅提高。
面對如此嚴峻的問題，日本存儲大廠鎧俠（Kioxia）聯合半導體設備廠佳能、光罩等半導體零組件制造商大日本印刷株式會社（DNP）共同開發了一種新的NIL制程技術，可以在不適用EUV光刻機的情況下就能夠使半導體制程技術進到5nm。
據悉，現在鎧俠已經掌握了15nm的制程量產技術，目前正在全力進行15nm一下技術的研發，預計將于2025年進一步達成計劃目標。
對比于現在已商用化的EUV光刻技術，鎧俠方面表示，NIL技術優勢在于可以大幅減少耗能，并降低設備成本。原因在于NIL 技術的微影制程較為單純，耗電量可壓低至EUV技術的10％，并讓設備投資降低至僅有EUV設備的40％。目前，高端的EUV光刻機只有荷蘭ASML一家能夠生產供應，其不但價格高，而且需要許多檢測設備的配合，并且生產極為困難，產能極其有限。
不過，雖然NIL技術有許多的優點，但現階段在投入量產上仍有不少問題有待解決，其中比較大的問題就是對比EUV光刻機來說，NIL技術更容易因空氣中的細微塵埃的影響而形成瑕疵。
據悉，對鎧俠來說，NAND零組件因為采取3D立體堆疊結構，更容易適應NIL技術制程。而鎧俠也表示，目前已成功解決NIL的基本技術問題，正在進行量產技術的推進工作，希望能較其他競爭對手率先引入到NAND生產當中。而一旦鎧俠能成功率先引入NIL技術并實現量產，有望彌補在設備投資競賽中的不利局面，又能符合減少碳排放的需求。
另外，根據DNP的說法，NIL量產技術電路微縮程度可達5nm節點，并且DNP從2021 年的春天開始，就已經在根據設備的規格值進行內部的模擬仿真當中。而對于這樣的技術進步，DNP透露說，已經有不少半導體制造商開始詢問NIL 量產技術，這就表示不少廠商對NIL技術寄予厚望。
另一個合作伙伴佳能，也致力于將NIL量產技術廣泛的應用于制作DRAM及PC用的CPU等邏輯芯片的設備上，以在未來供應更多的半導體制造商，將來也希望能應用于手機應用處理器等最先進制程上。
假如NIL未來能成功開發出來，對于現在的半導體行業來說絕對是個大好消息，半導體芯片的產能將因此得到大幅提高，也能夠很大程度的緩解如今全球范圍內的缺芯問題。
