高頻驅(qū)動電路與高效GaN HEMT電源模塊的實現(xiàn)
2021年電子技術(shù)應(yīng)用第7期
王 宇，馬 偉，胡偉波，王美玉
南開大學(xué) 電子信息與光學(xué)工程學(xué)院，天津300350
摘要： 為了滿足當前電源模塊高效大功率的要求，針對氮化鎵器件設(shè)計一款高頻驅(qū)動電路，并搭建形成高頻高效的電源模塊。電路通過調(diào)節(jié)死區(qū)最小化處理模塊與非重疊模塊，抑制功率器件的大電流直通現(xiàn)象，有助于提升電源模塊的效率；利用氮化鎵器件的高頻特性，使電源系統(tǒng)的工作頻率大幅提升。電源系統(tǒng)測試結(jié)果表明，1 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為10 ns和5 ns；10 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為14 ns和8 ns。系統(tǒng)可實現(xiàn)10 W左右的大功率輸出。1 MHz和10 MHz工作頻率下系統(tǒng)達到的效率分別為93.7%和83.5%。
中圖分類號： TN86
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201239
中文引用格式： 王宇，馬偉，胡偉波，等. 高頻驅(qū)動電路與高效GaN HEMT電源模塊的實現(xiàn)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(7)：38-43.
英文引用格式： Wang Yu，Ma Wei，Hu Weibo，et al. Realization of high frequency driver circuit and high efficiency GaN HEMT power supply module[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(7)：38-43.
文獻標識碼： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.201239
中文引用格式： 王宇，馬偉，胡偉波，等. 高頻驅(qū)動電路與高效GaN HEMT電源模塊的實現(xiàn)[J].電子技術(shù)應(yīng)用，2021，47(7)：38-43.
英文引用格式： Wang Yu，Ma Wei，Hu Weibo，et al. Realization of high frequency driver circuit and high efficiency GaN HEMT power supply module[J]. Application of Electronic Technique，2021，47(7)：38-43.
Realization of high frequency driver circuit and high efficiency GaN HEMT power supply module
Wang Yu，Ma Wei，Hu Weibo，Wang Meiyu
College of Electronic Information and Optical Engineering，Nankai University，Tianjin 300350，China
Abstract： In order to meet the high efficiency and high power requirement of current power supply module, this paper designs a high frequency drive circuit for gallium nitride device, and builds a high frequency and high efficiency power supply module.By adjusting dead zone minimization processing module and non-overlapping module, this circuit can suppress the high-current pass-through phenomenon of power devices, which is helpful to improve the efficiency of power module.Using the high frequency characteristic of gallium nitride device, the working frequency of power supply system is increased greatly.The test results of the power system show that the time of the output waveform rising edge and falling edge is 10 ns and 5 ns respectively at 1 MHz. At 10 MHz, the time of output waveform rising edge and falling edge is 14 ns and 8 ns respectively. The system can achieve about 10 W high power output. The efficiency of the system at 1 MHz and 10 MHz is 93.7% and 83.5% respectively.
Key words : GaN HEMT；driver circuits；high frequency；high efficiency；high power
0 引言
功率器件柵極驅(qū)動電路是電源模塊的重要組成部分，在電源轉(zhuǎn)換和能量獲取領(lǐng)域起著關(guān)鍵的作用。功率器件柵極驅(qū)動電路被廣泛用于汽車電子、移動快充、通信基站等領(lǐng)域。柵極驅(qū)動電路作為電源模塊的基礎(chǔ)部分，其速度和功耗將直接影響電路的整體性能[1-3]。電源模塊產(chǎn)生系統(tǒng)損耗的原因有很多：一是驅(qū)動電路死區(qū)時間設(shè)置不當，導(dǎo)致功率器件同時承受高電流和高電壓；二是功率器件柵極充電損耗，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件柵極的輸入電容較大，充放電產(chǎn)生動態(tài)功耗，導(dǎo)致驅(qū)動開關(guān)的損耗提升；三是傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件具有體二極管，二極管導(dǎo)通的時間越長，其傳導(dǎo)和反向恢復(fù)損耗便越高。
電源模塊高效特性的實現(xiàn)依賴于高性能功率半導(dǎo)體器件[4-5]。傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件導(dǎo)通電阻和柵極電荷均比較大，且工作頻率有限。近年來，第三代半導(dǎo)體材料得到飛速發(fā)展。其中，氮化鎵高電子遷移率器件是第三代半導(dǎo)體的主要代表。由于氮化鎵器件擁有導(dǎo)通電阻小、承受電壓高，工作頻率高等特性，被廣泛應(yīng)用于電源模塊的輸出級。
本文詳細內(nèi)容請下載：http://www.shi-ke.cn/resource/share/2000003651。
作者信息：
王 宇，馬 偉，胡偉波，王美玉
(南開大學(xué) 電子信息與光學(xué)工程學(xué)院，天津300350)
此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng)，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。