近年來，以IGBT為主的功率半導體和以碳化硅、氮化鎵為主第三代半導體均受到市場的高度關注。
其中，IGBT，被視為電力領域的“CPU”，對新能源汽車、軌道交通、智能電網、節能環保等眾多國家戰略性新興產業的發展，具有重要意義。
而第三代半導體作為后摩爾時代實現芯片性能突破的核心技術之一，也受到資本熱捧，其應用領域包括電動汽車、光伏等功率、5G射頻、手機快充等。
近日，湖南三安第三代半導體產業項目和規劃生產IGBT的塞晶亞太大功率半導體項目均迎來重大進展。據悉。上述兩個重大項目總投資超200億元。
國內首條碳化硅全產業鏈生產線投產
△Source：湖南省人民政府網站
6月23日，湖南首個第三代半導體產業園項目湖南三安半導體項目迎來首批廠房投產點亮儀式，該項目是全球第三條、中國首條碳化硅全產業鏈生產線。
此前資料顯示，湖南三安半導體項目總投資160億元，主要建設具有自主知識產權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地。
△Source：湖南新聞聯播視頻截圖
具體而言，該項目將建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產業鏈，研發、生產及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。
項目建成達產后預計可實現年產值120億元，可直接提供4500個就業崗位，并帶動上下游配套產業產值預計超1000億，提供近10000個就業崗位。
△Source：湖南新聞聯播視頻截圖
此外，湖南三安還與北京智芯、威勝信息共同簽訂了碳化硅全產業鏈關鍵技術研究及產業化聯合實驗室共建意向書，將聯合攻關碳化硅功率模塊科技項目，申報和創建國家創新中心。
賽晶科技IGBT生產線進入試生產階段
△Source：塞晶科技官網
同日，賽晶科技集團有限公司宣布，公司旗下子公司賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司在浙江省嘉興市嘉善縣經濟技術開發區舉行了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）生產線竣工投產儀式，IGBT生產線進入試生產階段。
據悉，賽晶科技于2019年3月正式啟動了自主技術IGBT項目。隨后，2019年7月賽晶IGBT項目正式簽約落戶嘉善，2020年6月賽晶IGBT生產基地動工建設，同年9月賽晶首款IGBT芯片和模塊產品正式推出。
此前的資料顯示，賽晶亞太IGBT大功率半導體項目總投資52.5億元，其中項目一期投資17.5億元，規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線，5條IGBT模塊封裝測試生產線，建成后年產能將達到200萬件IGBT模塊產品。該公司IGBT產品應用將涵蓋600V至1700V的中低壓領域，面向電動汽車、光伏風電、工業變頻等市場。
賽晶科技表示，IGBT生產線的投產有助于提高公司的市場競爭力，對未來的經營業績帶來積極影響。由于生產線從投產到達產尚需一定時間，預期產能的釋放需要過程；同時，短期內還有固定成本增加的壓力，投資者應注意投資風險。
