去年中國進口集成電路金額超過3500億美元,其中約有25-30%左右為存儲芯片,主要就是NAND閃存和DRAM內存,而主要供應方為三星、SK海力士、美光、東芝、西部這些廠商。
而國產存儲芯片廠商,主要也有兩家,分別是長江存儲和長鑫存儲,長江存儲主攻NAND閃存,而長鑫存儲主攻DRAM內存。
而現在,國產內存有了新玩家了,那就是兆易創新。在6月3日,國產存儲芯片巨頭兆易創新宣布,其首款自有品牌4Gb DDR4產品GDQ2BFAA系列現已量產,實現從設計、流片,到封測、驗證的全面國產化。
而兆易創新這次量產的DDR4芯片,工藝是19nm,與長鑫目前的19nm工藝基本是保持一致的,而預計接下來的工藝是17nm,大約在2021年底或2022年初實現。
那么目前三星、美光工藝是多少?由于在內存領域,大家并不直接說多少納米工藝,是以1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm來替代的。
三星、美光對外表示的工藝是1αnm工藝,其實是14nm工藝,而長鑫存儲、兆易創新的19nm工藝,稱之為1Xnm,很明顯,相較于全球最牛的三星,已經只有3nm的差距了,努力一把,說不定就要追上了。
為何兆易創新在內存領域,這么容易就實現了0的突破,緣于兆易創新本來就是一家存儲芯片廠商,成立于2005年的兆易創新,這16年在存儲芯片領域,可是拿下了很多個第一名的。
比如成功研發了國內第一顆SPI NOR Flash產品、第一顆靜態存儲器及IP技術、推出了國內首款基于ARM Contex-M3內核的32通用MCU產品。
此外,兆易創新還是全球排名第一的無晶圓廠NOR Flash供應商,SPI NOR Flash領域市占率國內第一、全球第三,有著深厚的積累,所以從NOR Flash領域,跨界到DRAM領域,也就顯得順理成章了。
不過要注意的是,兆易創新也是Fabless模式,即自己不生產芯片,只設計芯片,然后交給專業的芯片代工企業來生產,之前兆易創新的訂單多是交給中芯國際,這次的DRAM是誰來生產的,暫時還不清楚。
