近日，中國一站式IP和定制芯片企業芯動科技宣布：已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。N+1工藝在功耗及穩定性上與7nm工藝相似，但性能要低一些(業界標準是提升35%)，主要面向低功耗應用，其后還會有面向高性能的N+2。

N+1工藝是中芯國際在第一代先進工藝14nm量產后，第二代先進工藝的代號。據透露，與14nm相比，N+1工藝有了更大的突破——性能提升20%、功耗降低57%以及邏輯面積縮小63%，中芯國際聯合CEO梁孟松披露，在功率和穩定性方面，N+1和7nm工藝非常相似，唯一區別在于性能方面，N+1工藝提升較小。

流片是芯片量產前的一個必要步驟。為了測試集成電路設計是否成功，需要對芯片進行試生產，以檢驗電路是否具備所需的性能和功能。如果流片成功，就可以大規模地量產芯片;反之，就需要找出其中的原因，并進行相應的優化設計。

中芯國際的N+1工藝有望于2020年底小批量試產。按照這樣的時間表推測，如果順利的話，中芯國際N+1工藝確實可能會在2021年規模量產。

除了手機處理器使用到最先進芯片制程之外，許多的芯片對于制程的要求并不高，以臺積電為例，臺積電2019年晶圓出貨量達1,010萬片12寸晶圓約當量，上年為1,080萬片12寸晶圓約當量。先進制程技術(16nm及以下更先進制程)的銷售金額占整體晶圓銷售金額的50%，高于上一年的41%。提供272種不同的制程技術。

而剩余的50%都是16nm以上制程，可以說，中芯國際的7nm工藝將滿足國內絕大部分芯片需求。在目前缺少第五代EUV光刻機的情況下，中芯國際也很難再向5nm工藝邁進。

目前中芯國際收到美國的制裁，也在一定程度上影響了其先進制程的研發，雖然中芯國際受到美國出口限制，但是目前中芯國際的情況還未到最糟糕的時刻。目前美國并未將中芯國際列入實體清單，中芯國際也仍有望順利獲得部分的許可，以使得部分成熟的制裁的生產能夠維持。

不過，對于中芯國際來說，其目前仍嚴重依賴美系半導體設備供應商，包括美國美國應用材料、泛林集團、科磊、泰瑞達等。所以，首先需要考慮的則是，如何維持足夠長時間的運轉，以便能夠支撐到不受美國制約的去美化產線的建成。

中芯國際的未來，還要靠國內建成完善成熟的芯片產業鏈，從而可以實現高端芯片設計制造都可以在國內完成。