半導體制程發展到28nm節點的時候，就達到了芯片性能與成本的完美平衡。但是14nm、10nm、7nm、5nm，以及2022年就可以實現量產的3nm制程，不斷刷新著業界對先進制程技術的認知。28nm之后的先進制程技術迭代速度超過了之前所有制程節點的發展速度，實現量產的廠家越來越少，但是對其產品的要求越來越多。
以智能手機為代表的便攜式電子產品的快速迭代，對芯片的PPA提出了更高的要求，打破了性能與成本的平衡狀態，為了得到更小尺寸，更高性能的芯片，成本已被一些產商放在了次要位置(前提是有巨量的芯片需求，從而可以攤薄單個芯片成本)。
1、28nm
在設計成本不斷上升的情況下，只有少數客戶能負擔得起轉向高級制程節點的費用。因此，就單位芯片成本而言，28nm優勢明顯，可以保持較長生命周期。一方面，相較于40nm及更落后制程，28nm工藝在頻率調節、功耗控制、散熱管理和尺寸壓縮方面具有顯著的優勢。另一方面，由于20nm及更先進制程采用FinFET技術，維持高參數良率以及低缺陷密度難度加大，每個邏輯閘的成本都要高于28nm制程。
雖然高端市場會被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據，但40nm、28nm等并不會退出。如28nm和16nm工藝現在仍然是臺積電的營收主力，中芯國際則在持續提高28nm良率。
目前，業內的28nm制程主要在臺積電，GF(格芯)，聯電，三星和中芯國際這5家之間競爭。
臺積電的28nm制程在2011年投入量產后，營收占比只用了一年時間就從2%爬升到了22%，迅速擴張的先進產能幫助臺積電在每一個先進制程節點都能搶占客戶資源、擴大先發優勢，并使其產能結構明顯優于競爭對手，用更高的產品附加值帶來了更高的毛利率。
對于重點發展特殊工藝的聯電來說，28nm是其重點業務版塊，為此，該公司還放棄了14nm以下先進制程的研發工作。
作為中國大陸第一家制程工藝達到28nm，且同時提供28納米PolySiON、28納米HKMG工藝的晶圓代工企業，中芯國際在國內有多個工廠，而其28nm制程產品主要在位于北京的兩座中芯北方工廠生產。
另外，近幾年，SOI工藝快速崛起，這在很大程度上得益于格芯的大力推動。業內人士普遍認為，對于SOI工藝來說，28nm制程更具優勢，可以撐很久，而且當工藝再往前演進時，SOI會越來越有優勢。28nm算是一個分界點。到了這個節點，工藝可以很輕松的轉換到SOI，而且目前有越來越多的EDA工具支持這種轉變。
2、14nm
具有或即將具有14nm制程產能的廠商主要有7家，分別是：英特爾(INTC.US)、臺積電、三星、格芯、聯電、中芯國際(00981)和華虹(01347)。
目前來看，14nm制程主要用于中高端AP/SoC、GPU、礦機ASIC、FPGA、汽車半導體等制造。對于各廠商而言，該制程也是收入的主要來源，特別是英特爾，14nm是其目前的主要制程工藝，以該公司的體量而言，其帶來的收入可想而知。而對于中國大陸本土的晶圓代工廠來說，特別是中芯國際，14nm制程技術已經在今年實現量產。這樣，在兩三年后，隨著新產能的成熟，14nm制程的市場格局值得期待。
自2015年正式推出14nm制程后，英特爾已經對其依賴了4年的時間，該制程也為這家半導體巨頭帶來了非常可觀的收入。從Skylake(14nm)、Kaby Lake(14nm+)、Coffee Lake(14nm++)，到2018年推出的14nm+++，該公司一直在保持對14nm制程的更新。而英特爾原計劃在2016年推出10nm，但經歷了多次延遲，2019年才姍姍來遲，從這里也可以看出該公司對14nm制程的倚重程度。
臺積電(TSM.US)于2015下半年量產16nm FinFET制程。與三星和英特爾相比，盡管它們的節點命名有所不同，三星和英特爾是14nm，臺積電是16nm，但在實際制程工藝水平上處于同一世代。
目前，16nm制程依然是臺積電營收的主力軍，貢獻率約為25%。
14nm是格芯最先進的主流制程工藝，位于美國紐約州馬耳他，這里除了14nm，還有28nm的，最大產能為6萬片晶圓/月，主要采用12英寸晶圓。主要用于代工高端處理器。目前來看，14nm產能占其總營收的比例較小。
聯電方面，該公司位于臺南的Fab 12A于2002年進入量產，目前已運用14nm制程為客戶代工產品。然而，聯電的14nm制程占比只有3%左右，并不是其主力產線。這與該公司的發展策略直接相關，聯電重點發展特殊工藝。
3、12nm
中國大陸手機市場龐大，且中端和中低端占據著出貨量的大頭兒，這就給了中端手機處理器芯片絕佳的發展機會，相應的12nm制程技術的市場份額也就水漲船高了。
從目前的晶圓代工市場來看，具備12nm制程技術能力的廠商也不多，主要有臺積電、格芯、三星電子和聯電。聯電于2018年宣布停止12nm及更先進制程工藝的研發。因此，目前來看，全球晶圓代工市場，12nm的主要玩家就是臺積電、格芯和三星這三家，這一點，從近兩年市場推出的各種芯片也可見一斑。
2018年8月，華為發布了中端芯片麒麟710，采用的就是12nm制程，用在了當時的中端機型、在海外被稱為Mate 20 Lite上。
聯發科則是12nm芯片的主力軍，代表產品多是中端芯片，具體包括：Helio P22，采用臺積電12nm FinFET工藝制造;Helio P60;Helio A 系列產品，該公司稱其把高端產品功能下放到了用戶基數龐大的大眾市場。該系列的首款產品為Helio A22。
在中國大陸，紫光展銳最近幾年在中端和中低端市場的拓展力度也很大，并逐步擴大著市場占有率，而在即將到來的5G市場，該公司推出了春藤510，采用了臺積電12nm制程工藝。
除了手機處理器之外，AMD的顯卡RX 590也采用了12nm制程代工生產，而這款產品的代工廠為格芯和三星兩家。由于AMD與格芯的深厚關系，其很多芯片都是由格芯代工的，但隨著格芯宣布退出10nm及更先進制程的研發和投入，使得AMD不得不將先進產品分給了三星和臺積電代工，從而分散了格芯的訂單。
4、10nm
到目前為止，有公開的10nm規劃，且已經或即將量產該工藝節點芯片的廠商，只有臺積電、三星和英特爾這三家。此外，中芯國際很可能也在進行著10nm、7nm制程的研發工作，但具體情況還未公開。
臺積電早在2013年就開始了10nm工藝的研發。而按照早期規劃，臺積電的計劃是 2016 年第四季度量產10nm工藝。而實際量產時間與其規劃基本吻合，2017年初實現了量產，標志性應用就是蘋果的A11處理器，這給臺積電帶來了巨大的收益。
不過，量產后，臺積電10nm營收的比例基本持平，且相對份額不高，28nm和16nm一直是該公司收入的主要來源。
英特爾也早就開始了10nm的研發，原計劃是在2016年量產，當時，EUV還不成熟，因此，英特爾選擇了多重四圖案曝光(SAQP)技術，但研發過程中遭遇困難，導致10nm量產時間一再推遲。而從當時的情況來看，采用SAQP技術造成良率較低可能是遲遲無法規模量產的主要原因。
在那之后，英特爾一直未對外公布10nm量產進度，2017年初，時任英特爾CEO科再奇在美國CES展會前，宣布首顆10nm處理器Cannon Lake就緒，將迎戰臺積電和三星。然而，沒過多久，英特爾官方對外發布了繼承當年主打的第七代核心處理器Kaby Lake的第八代Core處理器細節，表示仍將采用14nm制程生產，10nm量產時間又被延遲了。經過多年的周折和延遲，英特爾的10nm終于在2019年底實現量產。
2015年7月，三星電子旗下的制造部門Samsung Foundry的Kelvin Low 在網上發布了一段視頻，確認三星已經將 10nm FinFET 工藝正式加入路線圖。
2017年，幾乎與臺積電同步量產10nm制程后，三星將大部分的高通驍龍處理器訂單收至麾下。不過，為了趕上臺積電7nm制程量產的步伐，三星在10nm上花費的精力和時間也比較有限，2019年，三星的7nm制程收到了高通驍龍765的訂單。而與臺積電相似，將規劃的重點放在了未來的5nm和3nm上，10nm也是曇花一現。
5、7nm
目前，能夠量產7nm芯片的只有臺積電和三星這兩家。
臺積電方面，7nm在2017年底就有試產，2018年實現小批量生產，大規模量產是在2019年，在2019年第二季開始量產N7+(EUV的)，與N7相比，N7+的邏輯密度比N7提高15%至20%，同時降低了功耗。
臺積電7nm工藝量產后，2019年有100多個芯片陸續流片，包括CPU、GPU、AI、加密貨幣芯片、網絡通信、5G、自動駕駛等芯片。客戶包括蘋果、華為海思、聯發科、高通、英偉達、AMD、賽靈思、比特大陸等。蘋果的A13處理器、海思的5G基站芯片，以及AMD的GPU、CPU和服務器芯片都集中在2019下半年出貨，且都在爭取臺積電7nm產能，使其相關產線處于滿負荷運轉狀態，交貨時間從原本的2個月拉長到半年，客戶一直在排隊搶產能。
目前來看，臺積電的7nm產能依然很搶手。據悉，今年下半年，臺積電的7nm產能將增至每月14萬片。這其中，AMD占據著不小的份額，由于該公司最近兩年快速崛起，其在臺積電的訂單量也大增，據悉，今年，AMD的7nm訂單將增加一倍，每月需要3萬片晶圓的產能，占臺積電7nm晶圓總產能的21%。此外，高通占臺積電7nm產能的比例在18%左右，聯發科將占14%。
與臺積電相比，三星7nm的產能利用率則遜色了很多，在量產初期，是以10K左右的少量量產開始的，隨著客戶下單量增加，持續提升產能。
初期，除了三星自家之外，三星7nm EUV的客戶只有IBM，雙方曾對外表示將合作開發下一代高性能Power處理器。另外兩個大客戶是英偉達和高通。
今年2月，三星宣布，在韓國華城工業園新開一條專司EUV技術的晶圓代工產線V1，主要用于量產7nm。目前，V1已經投入7nm和6nm EUV移動芯片的生產工作，未來可代工到最高3nm水平。根據三星規劃，到2020年底，V1產線的總投入將達60億美元，7nm及更先進制程的總產能將是2019年的3倍。
6、6nm
6nm是7nm與5nm之間的過渡制程工藝。
臺積電于2019年4月推出了6nm制程(N6)，設計方法與7nm工藝完全兼容，隨著EUV技術的進一步應用，N6的邏輯密度將比N7提高18%。根據規劃，臺積電的6nm制程于2020年第一季度試產，并于年底前進入量產。
三星方面，該公司于2019 年初宣布第一個基于EUV技術的6nm客戶開始流片。此外，三星原計劃在2020年推出6nm LPE版本。三星6nm在7nm EUV基礎上，運用其Smart Scaling技術，縮小芯片面積并降低了功耗。
7、5nm
目前，只有臺積電實現了5nm制程的量產。因此，臺積電的5nm繼其7nm之后，又成為了業界的香餑餑，產能供不應求。
首先，蘋果A14處理器和華為海思新款5G規格Kirin手機芯片是臺積電5nm工藝的首批兩大客戶，此外，高通5G芯片X60及新一代驍龍875手機芯片，也將采用5nm。供應鏈人士稱，今年，蘋果包下了臺積電三分之二的5nm產能。
此外，業界大紅大紫的AMD也在爭取臺積電的5nm訂單，估計明年會出貨。至于聯發科、英偉達、賽靈思、比特大陸等重要客戶，也都在后邊排隊等候臺積電的5nm產能。在這種情況下，臺積電計劃將5nm月產能由原本的5萬片提升至8萬片。
三星也在加碼研發5nm工藝，三星此前透露的信息顯示，5nm LPE(5nm Low Power Early)工藝原計劃今年上半年投入量產，但從目前的情況來看，量產要等到2021年了。主要客戶是高通。
8、3nm
臺積電的3nm預計于2022年實現量產，到時候，首批大客戶很可能還是蘋果。另外，有消息稱英特爾最新的GPU也可能會交由臺積電的3nm產線生產。
而三星有希望超越臺積電的制程可能是3nm，因為三星是第一家官宣使用全新GAA晶體管的，在3nm節點將會用GAA環繞柵極晶體管取代FinFET晶體管，而臺積電依然會使用FinFET技術。三星希望2021年量產3nm工藝，而今年上半年完成3nm工藝開發。