/ 美通社 / -- SK 海力士（或‘公司’，www.skhynix.com）宣布推出全球首款 DDR5 DRAM。DDR5 是新一代 DRAM 標(biāo)準(zhǔn)，此次 SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 作為超高速、高容量產(chǎn)品，尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。
圖 1. SK 海力士推出 1y 納米級 DDR5 DRAM
圖 2. SK 海力士推出 1y 納米級 DDR5 DRAM
SK 海力士于 2018 年 11 月成功開發(fā)全球首款 16Gb DDR5 DRAM 之后，向英特爾等核心客戶提供樣品，并完成了一系列測試與性能、兼容性驗(yàn)證等程序。此番成果意味著 SK 海力士在即將到來的 DDR5 市場隨時能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。
期間，SK 海力士與 SoC1）（System On Chip）開發(fā)公司等不同企業(yè)共同運(yùn)營現(xiàn)場分析研究室，并通過共同執(zhí)行系統(tǒng)級別測試（System Level Test）及各種模擬測試完成了新產(chǎn)品的性能驗(yàn)證。與此同時，SK 海力士還與諸多公司緊密合作，進(jìn)行了包括 RCD2）（Register Clock Driver）、PMIC3）（Power Management IC）等構(gòu)成模組的主要部件的兼容性驗(yàn)證。
SK 海力士推出的 DDR5 DRAM 的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 4,800 ~ 5,600Mbps，其速率相較前一代 DDR4 最多提升了 1.8 倍。5,600Mbps 的傳輸速率意味著能夠在 1 秒內(nèi)傳輸九部全高清（Full-HD, FHD）電影。不僅如此，該產(chǎn)品的動作電壓由前一代的 1.2V 降到了 1.1V，成功減少了 20%的功耗。
SK 海力士 DDR5 DRAM 的另一個顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯誤糾正代碼（Error Correction Code, ECC）；內(nèi)置 ECC 能夠依靠自身功能修復(fù) DRAM 單元（cell）單字節(jié)單位的錯誤。有助于該特性，采用 SK 海力士 DDR5 DRAM 的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔（Through Silicon Via, TSV）技術(shù)相結(jié)合，更能夠組成容量高達(dá) 256GB 的高容量模組。
SK 海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的 DDR5 DRAM 將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營成本。
英特爾數(shù)據(jù)平臺部門（Data Platforms Group）的 Carolyn Duran 副總裁（Vice President）表示：“為了樹立基于 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)的初期結(jié)構(gòu)概念（early architecture concept）并完成 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的開發(fā)，英特爾與 SK 海力士維持了緊密的合作關(guān)系。雙方為了確保產(chǎn)品性能，進(jìn)行了試制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證；這意味著兩家公司已經(jīng)做好了滿足客戶需求的準(zhǔn)備。”
吳鐘勛 SK 海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer, CMO）則表示：“SK 海力士成功推出世界首款 DDR5 DRAM，得以在 DRAM 市場占據(jù)未來技術(shù)優(yōu)勢。我公司將重點(diǎn)瞄準(zhǔn)快速成長的高端服務(wù)器市場，進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器 DRAM 領(lǐng)域擁有的領(lǐng)先地位。”
固態(tài)技術(shù)協(xié)會（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）于 2020 年 7 月正式發(fā)布了 DDR5 DRAM 的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
而市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Omdia 分析指出，對 DDR5 的市場需求將從 2020 年開始逐步顯現(xiàn)；其市占率將在 2022 年占整個 DRAM 市場的 10%，2024 年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。
新思科技（Synopsys），瑞薩（Renesas），瀾起科技（Montage Technology），Rambus 等企業(yè)也紛紛表示將為了打造 DDR5 生態(tài)圈而保持緊密合作關(guān)系。
負(fù)責(zé) IP 營銷與戰(zhàn)略的 John Koeter 新思科技高級副總裁指出：“通過與 SK 海力士的合作，新思科技將為需要超高速、高容量存儲器的高性能計(jì)算（High Performance Computing, HPC）SoC 提供高信賴度的 DDR5 解決方案。新思科技通過 SK 海力士的 DDR5 RDIMM 模組，在最大傳輸速率 6,400Mbps 的環(huán)境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的驗(yàn)證，這意味著將設(shè)計(jì)者的風(fēng)險最小化的同時，能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)密集型的高性能 SoC。”
Rami Sethi 瑞薩副總裁兼數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門（Data Center Business Division）總經(jīng)理（General Manager）表示：“瑞薩在過去二十年作為倡導(dǎo)存儲器接口市場的企業(yè)，對與諸多合作公司及客戶建立的合作關(guān)系感到十分自豪。通過此番與 SK 海力士的緊密合作，瑞薩成功完成了涉及服務(wù)器、客戶、內(nèi)置系統(tǒng)等諸多應(yīng)用領(lǐng)域的 DDR5 DRAM 產(chǎn)品的驗(yàn)證。”
負(fù)責(zé)銷售與經(jīng)營開發(fā)（Sales and Business Development）的 Geof Findley 瀾起科技副總裁則表示：“我們非常高興能夠與 SK 海力士為了打造 DDR5 存儲器生態(tài)圈而相互合作。瀾起科技在早期 DDR 存儲器萌芽之際就已經(jīng)與 SK 海力士展開了合作關(guān)系，我公司承諾持續(xù)提供高性能、低能耗的存儲器接口解決方案。目前，瀾起科技能夠提供涵蓋不同領(lǐng)域的全方位 DRAM 模組接口產(chǎn)品，很高興能夠再次與 SK 海力士合作，為 DDR5 市場的加速發(fā)展添一份力。”
Chien-Hsin Lee Rambus 副總裁兼集成電路部門（Integrated Circuits）總經(jīng)理認(rèn)為：“我們非常高興在實(shí)現(xiàn)下一代新技術(shù)等領(lǐng)域與 SK 海力士合作，進(jìn)而為營造 DDR5 生態(tài)圈貢獻(xiàn)。我們相信，采用全新存儲器接口的 DDR5 DRAM 模組將幫助提升服務(wù)器性能，并滿足需要高容量、高帶寬存儲器的數(shù)據(jù)中心市場的需求。”
注解
SoC （System on Chip）
又稱系統(tǒng)級芯片，指將與中央處理器（CPU）及系統(tǒng) Bus 相結(jié)合的周邊電路裝置（存儲器控制器、PCIe Bus 等）集成至單一芯片的解決方案。
RCD （Register Clock Driver）
又稱寄存時鐘驅(qū)動芯片，是用于服務(wù)器 DRAM 模組（RDIMM、LRDIMM）的有源元件（active element），其功能是放大從存儲器控制器適用至存儲器的指令及數(shù)據(jù)信號，進(jìn)而保障發(fā)射機(jī)（transmitter）與接收機(jī)（receiver）之間信號品質(zhì)。
PMIC （Power Management Integrated Circuit）
又稱電源管理集成電路，指接收主電源輸出并為電子設(shè)備提供其所需的穩(wěn)定、高效的電壓、電流的集成電路；PMIC 是在 DDR5 這一代被 DRAM 模組首次采用。