最近，因為國家將投入巨資支持第三代半導體的新聞的流傳，讓本來就有了很高關注度的GaN和SiC等產業又獲得了高度關注，據媒體相關盤點，也有不少企業已經投入到這個市場。下面我們從華潤微和賽微的兩份調研報告，看看國內企業是如何看第三代半導體的。

　　首先看GaN方面，賽微電子董秘張阿斌認為，GaN 產業起步相對較晚，2005 年以后氮化鎵才應用在微波或功率器件，所以從這個角度來講，氮化鎵是我國與歐美日韓國際半導體企業差距最小的分支，我國在氮化鎵的起步并不晚，尤其是在 LED、雷達方面國家近年來大力扶持，因此這塊比較具有領先地位，在微波和功率器件方面，近幾年除了國家政策的支持外，有很多國內企業向此進軍。

　　當然，代工或產能確實是個門檻，IDM 模式從做大做強和成長迭代方面肯定具有優勢；國內市場應用在功率、微波領域都比較有優勢，市場需求加上國內一流的人才集聚以及資本力量，相信國內能很快趕上來。

　　華潤微方面則認為，基于技術和市場因素考量，他們看好硅基氮化鎵功率器件領域，此領域目前明確的市場是緊湊型adapter，隨著時間的推移和技術的成熟，新的應用領域會出現。

　　再看SiC方面，華潤微方面表示，由于成本較高，SiC 的應用主要集中在工業和汽車領域，所以他們認為這類產品目前比較確定的應用領域是高端電源、太陽能逆變器和 UPS。在問到對于SiC與Si的取代關系時，華潤微回應道，因為第三代化合物半導體的成本比較高，不可能完全取代硅器件。現在 SiC 遇到的機遇是硅器件近些年發展遇到了瓶頸，有些性能已經無法突破，需要 SiC 來解決硅器件無法解決的問題。

　　“GaN 和 SiC 都屬于第三代半導體，在寬禁帶和擊穿電場方面都有相同的特性，都適合做功率電子應用，氮化鎵具有高導通能力，氮化鎵的異質結是碳化硅不具備的，因此，氮化鎵相對碳化硅更具有速率和效率方面的優勢。另一方面碳化硅起步較早，更加成熟，有一定的成本優勢，良率、熱導率也會更好些，因此在超高壓大功率有更強的散熱優勢。簡單來說，在功率系統里，大于 10KW 以上的汽車逆變器、軌道交通、發電等應用領域，碳化硅更有優勢，在 10KW 以下的快充、智能家電、無線充電、服務器等應用領域，氮化鎵有更多的優勢。碳化硅（SiC）技術我們現在也可以做，但主要取決于客戶需求。”張阿斌說。