三星電子和SK Hynix希望開始半導(dǎo)體制造工藝的新時代。其中，三星電子計劃量產(chǎn)業(yè)界首批采用3納米環(huán)繞式棧極（gate-all-around，簡稱GAA）工藝制造的尖端芯片；SK海力士則正準(zhǔn)備生產(chǎn)基于極紫外光刻 （EUV）技術(shù)的DRAM。

　　GAA和EUV DRAM是核心技術(shù)，將分別領(lǐng)導(dǎo)全球系統(tǒng)半導(dǎo)體（晶圓廠）和DRAM市場。一旦它們成功實現(xiàn)了GAA和EUV DRAM的商業(yè)化，韓國與其他國家之間的差距以及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的地位將進(jìn)一步擴(kuò)大和提高。

　　三星電子和SK Hynix在“電子周刊”主辦的“技術(shù)周2020 LIVE”的第一天宣布了關(guān)于這些下一代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略。

　　三星電子宣布，計劃通過獲得IBM和NVIDIA的下一代CPU和GPU訂單，在全球晶圓代工市場中占有一席之地，以其GAA技術(shù)開拓下一代市場。

　　“我們相信我們的GAA技術(shù)是世界上最先進(jìn)的。” 三星晶圓代工廠執(zhí)行董事姜文說。“我們計劃基于我們的GAA技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界首批半導(dǎo)體。”

　　GAA技術(shù)比目前最常用于半導(dǎo)體制造工藝的FinFET技術(shù)先進(jìn)。與FinFET技術(shù)如何將柵極放置在通道的三個側(cè)面上不同，GAA技術(shù)覆蓋了通道的所有四個側(cè)面并更精確地控制電流，被視為實現(xiàn)高性能半導(dǎo)體和小于3nm的半導(dǎo)體的合適技術(shù)。

　　三星電子和臺積電是唯一開始開發(fā)GAA流程的公司。因此，如果三星電子能夠比臺積電更早地批量生產(chǎn)基于GAA技術(shù)的半導(dǎo)體，那么它將有機(jī)會抓住在全球晶圓代工市場落后甚至超越臺積電的機(jī)會。據(jù)悉，三星電子在GAA技術(shù)和商業(yè)化方面已取得了重大進(jìn)展，因為它有信心將成為業(yè)內(nèi)第一家基于GAA技術(shù)大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體的公司。

　　《電子時報》舉辦的<2020年技術(shù)周活動的首日活動于周三在Spigen Hall在線直播

　　SK Hynix即將批量生產(chǎn)基于EUV工藝的下一代DRAM。“我們計劃從第四代10nm（1a）DRAM開始應(yīng)用EUV工藝。” 負(fù)責(zé)SK海力士未來技術(shù)研究所的林昌文說。“我們希望在明年初開始批量生產(chǎn)。”

　　EUV是一種具有13.5納米短波長的光源。與其他光源相比，其波長短十倍。這表明EUV能夠在半導(dǎo)體晶圓上創(chuàng)建更精細(xì)，更詳細(xì)的圖案。同樣，它能夠減少工藝數(shù)量，而其他光源需要多次光刻工藝以實現(xiàn)微電路。較少的過程導(dǎo)致簡化的半導(dǎo)體制造過程，從而大大提高了生產(chǎn)率。

　　三星電子，SK Hynix和美光約占全球DRAM市場的94％，而三星電子和SK Hynix約占74％。盡管由于這三家公司的寡頭壟斷而建立了市場，但美光尚未將EUV流程引入其產(chǎn)品，從而導(dǎo)致了市場的寡頭結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化，而這種變化似乎并沒有改變。由于三星電子還希望通過自己的EUV DRAM技術(shù)來與眾不同，因此韓國的存儲器半導(dǎo)體市場再次面臨著飛躍的機(jī)會。

　　EUV DRAM對于縮小韓國半導(dǎo)體公司與積極追逐韓國公司的中國半導(dǎo)體公司之間的差距特別有用。“盡管韓國半導(dǎo)體公司希望基于EUV工藝批量生產(chǎn)1a產(chǎn)品，但中國公司去年只能批量生產(chǎn)第一代10nm（1x）DRAM，而今年僅能夠基于第二代10nm（1y）DRAM。EUV流程。” 韓國進(jìn)出口銀行對外經(jīng)濟(jì)研究所說。“由于EUV設(shè)備的昂貴成本和有限的供應(yīng)能力，韓國公司很有可能將自己與中國公司分開。”