據(jù)媒體報(bào)道指中國最大的芯片代工廠中芯國際近日開始認(rèn)購，預(yù)計(jì)募資超過400億元人民幣，在巨額資金的支持下預(yù)計(jì)最快年底可以試產(chǎn)7nm工藝（中芯國際方面稱為N＋2工藝，在性能參數(shù)方面接近臺積電的7nm工藝），加快先進(jìn)工藝的研發(fā)。

中芯國際在去年成功投產(chǎn)14nmFinFET工藝，今年初為華為代工麒麟710A芯片，目前它更先進(jìn)的12nm工藝也已投產(chǎn)，在芯片制造工藝方面已居于全球芯片代工廠第二梯隊(duì)，與聯(lián)電和格芯居于同一水平。

不過聯(lián)電和格芯已宣布停止研發(fā)7nm工藝更先進(jìn)的工藝，如果中芯國際可以成功研發(fā)出接近于7nm的工藝，它將超越聯(lián)電和格芯，成為臺積電和三星的有力挑戰(zhàn)者。

為研發(fā)7nm工藝，中芯國際已為此做好充分的準(zhǔn)備，在人才方面獲得了臺積電前資深技術(shù)研發(fā)處長梁孟松的加入，正是在梁孟松的支持下，中芯國際加快了14nmFinFET工藝的研發(fā)，如今在他的支持下加速了7nm工藝的研發(fā)進(jìn)程。

業(yè)界都知道，越先進(jìn)的工藝，需要投入的資金就越多，此前國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金和上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金已向中芯國際投資數(shù)十億美元，如今中芯國際即將在A股上市募資超過400億元人民幣，累計(jì)獲得投資額已近百億美元，巨額資金的投入為中芯國際研發(fā)先進(jìn)工藝提供巨大的支持。

目前阻礙中芯國際研發(fā)更先進(jìn)工藝的最大障礙就是難以獲得荷蘭ASML的EUV光刻機(jī)，不過臺積電此前投產(chǎn)的第一代7nm工藝就沒有采用EUV光刻機(jī)，證明即使沒有EUV光刻機(jī)也能研發(fā)出7nm工藝。

柏銘科技相信中芯國際在有諸多技術(shù)人才和巨額資金的支持下，中芯國際是有可能如媒體推測的在今年底投產(chǎn)接近7nm的N＋2工藝，在沒有獲得EUV光刻機(jī)的情況下，中芯國際可以先提高N＋2工藝的良率，錘煉先進(jìn)工藝，為更先進(jìn)的工藝做好準(zhǔn)備。

臺積電正是在成功投產(chǎn)7nm工藝之后再引入EUV光刻機(jī)，隨后迅速研發(fā)更先進(jìn)的5nm工藝，這是一條相當(dāng)穩(wěn)妥的路線，中芯國際作為后來者以類似于臺積電的工藝演進(jìn)路線應(yīng)該是較為合適的。

中國已成為全球最大的芯片市場，每年采購芯片的金額超過石油進(jìn)口額，2014年中國成立第一期集成電路產(chǎn)業(yè)基金，從那之后中國的芯片產(chǎn)業(yè)就進(jìn)入飛速發(fā)展階段，這幾年中國在芯片研發(fā)方面已取得了巨大的成績，在手機(jī)芯片、AI等技術(shù)方面已與世界一流水平接近。

阻礙中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的就是芯片制造工藝，中芯國際作為中國最大的芯片代工廠被寄予厚望，如今中芯國際在人才和資金方面都得到了大力扶持，柏銘科技相信中芯國際的芯片制造工藝可望在未來數(shù)年縮短與臺積電和三星的差距，為中國芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供強(qiáng)有力的支持。