2 月 28 日訊，格芯（GlobalFoundries）宣布其已經完成了 22FDX（22 nm FD-SOI）技術開發，而這項技術用于生產嵌入式磁阻非易失性存儲器（eMRAM）。

　　eMRAM 這種綜合了 RAM 內存、NAND 閃存的新型非易失性存儲介質斷電后不會丟失數據，寫入速度則數千倍于閃存，可以兼做內存和硬盤，甚至統一兩者。同時很關鍵的是，它對制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。

　　事實上，除了 格芯外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業巨頭多年來一直都在研究 eMRAM。

　　eMRAM 具有許多優勢，它不涉及電荷或電流，而是使用磁存儲元件，并依賴于讀取由薄勢壘分隔的兩個鐵磁膜的磁各向異性。該方法在寫入數據之前不需要擦除周期，這意味著更高的性能。此外，可以使用現代工藝技術生產 MRAM，并且具有很高的耐久性。該技術有一些缺點，最終將通過使用 ReRAM 的制造工藝來解決，但 格芯和三星 Foundry 認為 MRAM 在絕大多數應用中都具有巨大潛力。

　　格芯表示，使用其 22FDX 和 eMRAM 工藝技術生產的測試芯片，在 ECC 關閉模式下，在 -40°C 到 125°C 的工作溫度下，具有 10 萬個周期的耐久性和 10 年的數據保持能力。此外，公司的 eMRAM 測試產品還可以通過標準可靠性測試，包括 LTOL(168 小時)、HTOL(500 小時)和 5x 焊料回流，故障率

　　格芯在德國德累斯頓的 Fab1 中使用 22FDX 技術生產這種芯片。這種差異化 eMRAM 部署在業界最先進的 FDX 平臺上，在易于集成的 eMRAM 解決方案中提供了高性能 RF，低功耗邏輯和集成電源管理的獨特組合，使客戶能夠交付新一代的超高性能，低功耗 MCU 的物聯網應用。

　　eMRAM 是一種可擴展功能，預計將在 FinFET 和未來的 FDX 平臺上推出，作為公司先進 eNVM 路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓 1 號晶圓廠的先進 300mm 產品線將為 MRAM22FDX 的量產提供支持。

　　此外，格芯的 eMRAM 測試產品還可以通過標準可靠性測試，包括 LTOL（168 小時）、HTOL（500 小時）和 5x 焊料回流，故障率<1ppm，而生產中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。