半導體原料共經歷了三個發展階段：第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導體原料；第二階段是以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 等化合物為代表；第三階段是以氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、硒化鋅 (ZnSe) 等寬帶半導體原料為主。

　　第三代半導體原料具有較大的帶寬寬度，較高的擊穿電壓 (breakdown voltage)，耐壓與耐高溫性能良好，因此更適用于制造高頻、高溫、大功率的射頻組件。

　　從第二代半導體原料開始出現化合物，這些化合物憑借優異性能在半導體領域中取得廣泛應用。

　　如 GaAs 在高功率傳輸領域具有優異的物理性能優勢，廣泛應用于手機、無線局域網絡、光纖通訊、衛星通訊、衛星定位等領域。

　　GaN 則具有低導通損耗、高電流密度等優勢，可顯著減少電力損耗和散熱負載。可應用于變頻器、穩壓器、變壓器、無線充電等領域。

　　SiC 因其在高溫、高壓、高頻等條件下的優異性能，在交流 - 直流轉換器等電源轉換裝置中得以大量應用。

　　明日之星 -GaN

　　GaN 是未來最具增長潛力的化合物半導體，與 GaAs 和 InP 等高頻工藝相比，GaN 制成組件輸出的功率更大；與 LDMOS 和 SiC 等功率工藝相比，GaN 的頻率特性更好。

　　大多數 Sub 6GHz 的蜂窩網絡都將采用 GaN 組件，因為 LDMOS 無法承受如此高的頻率，而 GaAs 對于高功率應用又非理想之選。

　　此外，因為較高的頻率會降低每個基地臺的覆蓋范圍，所以需要安裝更多的晶體管，進而帶動 GaN 市場規模將迅速擴大。

　　GaN 組件產值目前占整個市場 20% 左右，Yole 預估到 2025 年比重將提升至 50% 以上。

　　（數據源：yole；圖：西南證券）不同材料的市場比重分布

　　GaN HEMT 已經成為未來大型基地臺功率放大器的候選技術。目前預估全球每年新建約 150 萬座基地臺，未來 5G 網絡還將補充覆蓋區域更小、分布更加密集的微型基地臺，這將刺激 GaN 組件的需求。

　　此外，國防市場在過去幾十年里一直是 GaN 開發的主要驅動力，目前已用于新一代空中和地面雷達。

　　（數據源：Qorvo；圖：西南證券）

　　手機中基石 -GaAs

　　GaAs 作為最成熟的化合物半導體之一，是智能手機零組件中，功率放大器 (PA) 的基石。

　　根據 StrategyAnalytics 數據顯示， 2018 年全球 GaAs 組件市場（含 IDM 廠組件產值）總產值約為 88.7 億美元，創歷史新高，且市場集中度高，其中 Qorvo 的市場份額占比為26%。

　　由于 GaAs 具有載波聚合和多輸入多輸出技術所需的高功率和高線性度，GaAs 仍將是 6 GHz 以下頻段的主流技術。除此之外，GaAs 在汽車電子、軍事領域方面也有一定的應用。

　　總結上述這些 III-V 族化合物半導體組件具有優異的高頻特性，長期以來被視為太空科技中無線領域應用首選。

　　隨著商業上寬帶無線通信及光通訊的爆炸性需求，化合物半導體制程技術更廣泛的被應用在高頻、高功率、低噪聲的無線產品及光電組件中。同時也從掌上型無線通信，擴散至物聯網趨勢下的 5G 基礎建設和光通訊的技術開發領域。作為資深的射頻專家，Qorvo在這個領域有深入的研究。

　　Qorvo 手機事業部高級銷售經理 David Zhao 之前在接受媒體采訪時指出，5G 對 PA 線性度要求更高，所以耐壓高的 GaAs 工藝更受青睞。砷化鎵Die 倒裝技術，已經被 QRVO 普遍采用。相比于傳統的砷化鎵 wire bonding 封裝，倒裝工藝讓模塊  厚度更薄，一致性更好。通過配合 SOI、CMOS 和 SAW/BAW 的倒裝工藝，尺寸更小，功能更 多的SiP射頻模組成為可能。