2019年4月30日，意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC－Q101 Rev． D標準的汽車級產品。
新HB2系列屬于STPOWER 產品家族，更低（1．55V）的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關，提高動態開關性能；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度，同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。
HB2系列IGBT提供三個內部二極管選項：全額定二極管、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管，從而為開發者提供更多的自由設計權，根據特定應用需求優化動態性能。
新650V器件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市，采用TO－247長引腳封裝。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。