隨著功率器件往高性能、小體積、模塊化方向的發展，不僅需要好的熱性能，還要具備復雜的線路布局，以滿足更為復雜的功能。常規Leadfram搭配WB的封裝工藝受限于管腳數量問題，越來越不滿足高集成功率器件封裝要求。天芯互聯（SCI）和中科四合經四年研發利用PLFO（Panel level Fan-out）的先進封裝工藝，完成功率半導器件或集成模組的生產。符合功率器件往高性能、小體積、模塊化、集成化發展的需求。所謂PLFO工藝是線路板廠將Fan Out技術通過線路板加工工藝進行衍生，Panel級的高效生產與芯片封裝結合的一種先進封裝。
圖1 Fan out 工藝和PLFO工藝對比（Yole Development）
圖2 PLFO平臺的SiP 3D封裝
天芯互聯利用PLFO（Panel level Fan-out）技術，開發了一種新型的可擴展的先進功率器件封裝，該技術不采用傳統的WB、銅Clip焊接等工藝，而采用電鍍填銅進行互聯，可以實現較低內阻和較好的散熱性能。圖3 為PLFO功率器件封裝的工藝流程圖。圖4為PLFO封裝MOSFET產品結構示意圖。
圖3 PLFO工藝流程圖
圖4 PLFO封裝產品結構示意圖
表一為不同封裝結構的封裝內阻對比，對比常規的MOSFET封裝方案，SCI的單面盲孔方案內阻最高下降1.28MΩ，下降幅度為85.3%。
表一 不同封裝結構封裝內阻對比圖
天芯互聯在PLFO技術方面已經申請了24項專利，同時針對功率器件通過PLFO平臺重點研發，目前已經完成了TVS器件的量產，同時MOSFET器件已經跨入小批量階段。在進行工藝研發的同時，天芯互聯也在對材料進行開發，通過開發新型的基板材料、封裝材料用于應對后續PLFO工藝平臺不同場景的應用。
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