氮化物是氮與電負(fù)性比它小的元素形成的二元化合物。由過(guò)渡元素和氮直接化合生成的氮化物又稱金屬型氮化物。它們屬于 “間充化合物”，因氮原子占據(jù)著金屬晶格中的間隙位置而得名。這種化合物在外觀、硬度和導(dǎo)電性方面似金屬，一般都是硬度大、熔點(diǎn)高、 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，并有導(dǎo)電性。鈦、釩、鋯、鉭等的氮化物堅(jiān)硬難熔，具有耐化學(xué)腐蝕、耐高溫等特 點(diǎn)。例如，TiN熔點(diǎn)為2 930～2 950℃，是熱和電的良導(dǎo)體，低溫下有超導(dǎo)性，是制造噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)的材料。ZrN在低溫有超導(dǎo)性，現(xiàn)用作反應(yīng)堆材料。

　　近日，由北京大學(xué)作為牽頭單位，聯(lián)合清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、北京郵電大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、華中科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、湖南大學(xué)、廈門大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、北京科技大學(xué)、合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司等14家單位共同承擔(dān)的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點(diǎn)專項(xiàng)“氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)，在北京西郊賓館會(huì)議中心舉行。

　　科技部高技術(shù)研究發(fā)展中心材料處處長(zhǎng)史冬梅、“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”專項(xiàng)主管楊斌代表項(xiàng)目管理部門出席并指導(dǎo)項(xiàng)目啟動(dòng)的相關(guān)工作。出席項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)的專家包括南京大學(xué)鄭有炓院士、北京大學(xué)甘子釗院士、基金委信息學(xué)部主任西安電子科技大學(xué)郝躍院士、基金委信息學(xué)部綜合處潘慶處長(zhǎng)、香港科技大學(xué)葛惟昆教授、蘇州納米所徐科研究員、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院邱宇峰教授、半導(dǎo)體所陳弘達(dá)研究員、李晉閩研究員、南京大學(xué)施毅教授、物理所韓秀峰研究員、北京大學(xué)沈波教授和王新強(qiáng)教授等。北京大學(xué)科研部副部長(zhǎng)韋宇也應(yīng)邀出席了啟動(dòng)會(huì)。

　　北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心唐寧副教授作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹了項(xiàng)目總體情況以及項(xiàng)目的實(shí)施方案。項(xiàng)目各課題負(fù)責(zé)人清華大學(xué)郝智彪教授、蘇州納米所邊歷峰研究員和唐寧分別匯報(bào)了所負(fù)責(zé)課題的概況、實(shí)施方案及近期研究進(jìn)展。

　　該項(xiàng)目圍繞后摩爾時(shí)代信息領(lǐng)域?qū)Ψ至⒐怆娮雍碗娮悠骷男枨螅_(kāi)展基于氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料和新功能器件的研究，重點(diǎn)突破氮化物半導(dǎo)體的零維量子點(diǎn)、一維量子線和二維量子阱及其復(fù)合結(jié)構(gòu)等低維量子結(jié)構(gòu)的制備，深入研究低維量子結(jié)構(gòu)中載流子的輸運(yùn)/復(fù)合/躍遷及其調(diào)控規(guī)律，研制出單光子源、紫外紅外雙色探測(cè)器、太赫茲發(fā)射及探測(cè)器件和自旋場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，為第三代半導(dǎo)體材料和器件的持續(xù)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

　　專家組針對(duì)項(xiàng)目的研究?jī)?nèi)容進(jìn)行了研討與分析，在對(duì)項(xiàng)目充分肯定的同時(shí)，也對(duì)項(xiàng)目的基礎(chǔ)科學(xué)創(chuàng)新、關(guān)鍵考核指標(biāo)以及團(tuán)隊(duì)合作、項(xiàng)目管理等方面提出了寶貴的意見(jiàn)和建議，并預(yù)祝項(xiàng)目組順利完成項(xiàng)目任務(wù)，推動(dòng)我國(guó)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展。