在10月11日召開的紀念集成電路發明60周年學術會議上，中科院院士、國家自然科學基金委員會信息科學部主任、西安電子科學科技大學教授郝躍介紹了以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體（也稱寬禁帶半導體）的發展和市場應用情況。郝躍認為，在第三代半導體技術方面，我國與世界差距不大，關鍵在于產業化。此外，郝躍介紹，以5G為代表的下一代移動通訊為未來化合物半導體發展提供了非常重要的市場。

　　郝躍表示，雖然硅材料占整個半導體材料的90%以上，但是2000年以后發展起來的寬禁帶和超寬禁帶半導體材料為硅基半導體提供了非常重要的補充。

　　“與硅材料半導體相比，寬禁帶半導體性質更接近絕緣體，在適應高溫（500℃以上）、高壓（600V-1000V）、高頻、高電流密度場景及低損耗方面具有明顯的優勢”，郝躍表示，目前寬禁帶半導體主要應用于衛星、高鐵、雷達、發電、輸變電、照明等領域。

　　氮化物材料在LED照明方面已經取得了巨大成功，郝躍介紹，去年中國LED及燈具產業產值超過5000億元人民幣，據說今年可能達到6000億元甚至6500億元。

　　據郝躍介紹，寬禁帶半導體具有優異的高頻特性，恰恰順應5G通信的頻率要求，能廣泛運用在基站、移動射頻、光通信器件中。工信部2017年11月公布我國5G系統頻率使用規劃，明確了3.3GHz-3.4GHz（原則上限室內使用）、3.4GHz-3.6GHz和4.8GHz-5.0GHz頻段作為5G系統的工作頻段。這樣，5G通信時代，射頻元件的接收到發送基本上皆屬于高頻訊號，需要采用大量化合物半導體元件。

　　根據Strategic Analytics預測，2020年化合物半導體的市場規模將達440億美元，復合年增率達12.9%，增速大幅超過整個半導體產業。

　　三安光電是我國LED芯片龍頭，從2014年起，公司重點布局化合物半導體產業，同時得到國家集成電路產業投資基金的支持，建設力度不斷加大。目前三安光電布局的化合物半導體產業包含了射頻功率放大器芯片（PA）、電力電子、光通訊、濾波器等方面的芯片業務。2017年公司已布局完成6寸的砷化鎵和氮化鎵部分產線，產品獲得部分客戶認證通過并進入小量產階段，產量逐月累加。