近日，中科院金屬研究所孫東明團隊聯合劉暢團隊，研發了一種連續合成、沉積和轉移單壁碳納米管薄膜的技術，首次在世界范圍內制備出米級尺寸高質量單壁碳納米管薄膜，并基于此構建出高性能的全碳薄膜晶體管（TFT）和集成電路（IC）器件。

　　單壁碳納米管因具有優異的力學、電學和光學性質，被認為是制作柔性和透明電子器件最具競爭力的候選材料之一。但能否發展一種高效、宏量制備高質量單壁碳納米管薄膜的制備方法，一定程度上決定著該材料能否走向實際應用。研發團隊有關負責人解釋，首先，迄今制備的單壁碳納米管薄膜的尺寸通常為厘米量級，批次制備方式不能滿足規模化應用要求。其次，由于在碳納米管薄膜制備工藝過程中通常會引入雜質和結構缺陷，使得薄膜的光電性能劣化，遠低于理論預測值，種種因素導致單壁碳納米管薄膜的制備一直不甚理想。

　　通過制備方法的創新，研發團隊獲得了長度超過2米的單壁碳納米管薄膜。這是我國科學家首次開發出米級長度的單壁碳納米管薄膜的連續生長、沉積和轉移技術，為未來開發基于單壁碳納米管薄膜的大面積、柔性和透明電子器件奠定了材料基礎。