中國(guó)上海，2018年3月13日電--中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中微”）在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?，用于大批量生產(chǎn)存儲(chǔ)芯片和邏輯芯片的前道工序。該設(shè)備采用了中微具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能，以幫助客戶達(dá)到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標(biāo)，例如關(guān)鍵尺寸（CD）刻蝕的精準(zhǔn)度、均勻性和重復(fù)性等。其創(chuàng)新的設(shè)計(jì)包括：完全對(duì)稱的反應(yīng)腔，超高的分子泵抽速；獨(dú)特的低電容耦合線圈設(shè)計(jì)和多區(qū)細(xì)分溫控靜電吸盤（ESC）。憑借這些特性和其他獨(dú)特功能，該設(shè)備將為7納米、5納米及更先進(jìn)的半導(dǎo)體器件刻蝕應(yīng)用提供比其他同類設(shè)備更好的工藝加工能力，和更低的生產(chǎn)成本。

　　中微 Primo nanova?刻蝕機(jī)已獲得多家客戶訂單，設(shè)備產(chǎn)品已陸續(xù)付運(yùn)。中微首臺(tái)Primo nanova?設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上正常運(yùn)行，良率穩(wěn)定。目前公司正在和更多客戶合作，進(jìn)行刻蝕評(píng)估。在中微提供了一系列電容耦合等離子體刻蝕設(shè)備之后，這一電感耦合等離子體刻蝕新設(shè)備大大增強(qiáng)了中微的刻蝕產(chǎn)品線，能涵蓋大多數(shù)芯片前段的刻蝕應(yīng)用。

　　當(dāng)今芯片制造所采用的新材料、新的器件結(jié)構(gòu)、雙重模板以至四重模板工藝和其他新的技術(shù)正在推動(dòng)器件尺度的不斷縮小，這使得芯片的制造越來(lái)越復(fù)雜。中微開發(fā)Primo nanova? 時(shí)，充分考慮了在這種苛刻的加工環(huán)境中，如何使刻蝕達(dá)到在晶圓片內(nèi)更好的刻蝕均勻性和實(shí)時(shí)的控制能力、為芯片制造提供更寬的工藝窗口，以達(dá)到客戶日益提高的技術(shù)要求，并實(shí)現(xiàn)較低的制造成本。

　　“Primo nanova?采用了當(dāng)下最先進(jìn)的等離子體刻蝕技術(shù)，為前沿客戶提供更具創(chuàng)新、更靈活的解決方案。”中微副總裁兼等離子體刻蝕產(chǎn)品部總經(jīng)理倪圖強(qiáng)博士說(shuō)道，“該設(shè)備不僅能夠用于多種導(dǎo)體刻蝕工藝，比如淺溝槽隔離刻蝕（STI）、多晶硅柵極刻蝕；同時(shí)可用于介質(zhì)刻蝕，如間隙壁刻蝕（Spacer Etch）、掩模刻蝕（Mask Etch）、回刻蝕（Etch Back）等，具有業(yè)界領(lǐng)先的生產(chǎn)率和卓越的晶圓內(nèi)加工性能。這項(xiàng)基于電感耦合等離子體的刻蝕技術(shù)既可以用于刻蝕垂直深孔，也可以用于刻蝕淺錐形輪廓。此外，由于這個(gè)設(shè)備占地面積小、減少了耗材的使用，有相當(dāng)大的成本優(yōu)勢(shì)。我們非常高興看到客戶已經(jīng)從該設(shè)備投入生產(chǎn)中獲益。”

　　中微第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備Primo nanova?

　　Primo nanova?的關(guān)鍵技術(shù)特點(diǎn)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

　　Primo nanova?以獨(dú)特的四方形主機(jī)、可配置六個(gè)刻蝕反應(yīng)腔和兩個(gè)除膠反應(yīng)腔，它具有獨(dú)特的技術(shù)創(chuàng)新和極高的生產(chǎn)效率。這些技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)包括：

　　?具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的低電容耦合線圈設(shè)計(jì)，能夠?qū)﹄x子濃度和離子能量實(shí)現(xiàn)有效的獨(dú)立控制，這對(duì)更高的選擇性和軟刻蝕至關(guān)重要；

　　?采用了完全對(duì)稱的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)、多區(qū)細(xì)分溫控靜電吸盤和動(dòng)態(tài)晶圓邊緣耦合控制，從而帶來(lái)更好的均勻性。這種設(shè)計(jì)克服了一直以來(lái)在量產(chǎn)中難以解決的晶圓邊緣刻蝕的不均勻性問(wèn)題；

　　?與同類設(shè)備相比具有超高的分子泵抽速，以實(shí)現(xiàn)更寬的工藝窗口和更精確的形貌控制；

　　?具有自主創(chuàng)新的等離子體增強(qiáng)型PVD特種材料的涂層、反應(yīng)腔內(nèi)壁溫度的精確控制和對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)表面狀態(tài)的良好控制，可實(shí)現(xiàn)更高的工藝穩(wěn)定性并減少微粒。

　　倪圖強(qiáng)博士進(jìn)一步指出：“從客戶的反饋?zhàn)C實(shí)， Primo nanova?提供了我們預(yù)期達(dá)到的晶圓加工能力和生產(chǎn)率，以及具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的生產(chǎn)成本。它也是一款多功能的設(shè)備，使用最少的配置調(diào)整就可以變換適用于多種加工工藝。”

　　Primo nanova?是中微公司的注冊(cè)商標(biāo)。

　　關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司

　　中微公司致力于為全球集成電路和LED芯片制造商提供領(lǐng)先的加工設(shè)備和工藝技術(shù)解決方案。中微通過(guò)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)自主研發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和硅通孔刻蝕設(shè)備已在國(guó)際主要芯片制造和封測(cè)廠商的生產(chǎn)線上廣泛應(yīng)用于45納米到7納米及更先進(jìn)的加工工藝和最先進(jìn)的封裝工藝。目前，正在亞洲地區(qū)40多條國(guó)際領(lǐng)先的生產(chǎn)線上運(yùn)行的中微反應(yīng)臺(tái)（包括介質(zhì)刻蝕、TSV和MOCVD）已將近800個(gè)。中微開發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備不僅已在客戶生產(chǎn)線投入量產(chǎn)，而且已成為在藍(lán)光LED市場(chǎng)占有率最大的領(lǐng)先設(shè)備。