國內光電龍頭公司三安光電正從四大方面加速布局第三代半導體產業，巨頭的行動似乎表明這個細分領域已進入爆發前夜。最近兩天，在昆山舉辦的“2017中國集成電路產業促進大會高峰論壇”上，5G與化合物半導體發展前景議題備受關注。

有業內人士對記者分析稱，隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發展機遇。三安光電、國民技術(300077,股吧)、揚杰科技(300373,股吧)、海特高新(002023,股吧)等多家上市公司均已積極布局。英飛凌（Infineon）方面預計，未來GaN將占據75%的基站射頻功率器件市場。

第三代半導體脫穎而出

5G時代，一部手機可能就需要16顆PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大規模天線（Massive MIMO）、濾波器等，這給第三代半導體帶來發展機遇。

國家已經在大力扶持第三代半導體產業。去年國務院出臺了《“十三五”國家科技創新規劃》，明確提出以第三代半導體材料等為核心，搶占先進電子材料技術的制高點。

有市場研究報告顯示，2016年全球射頻前端市場規模為125億美元，預計到2022年將達到259億美元，年復合增長率為12.9%；其中，就濾波器來說，預計到2022年全球市場規模將達到160億美元。

多家A股公司已布局

“在第三代半導體方面，三安光電將利用安芯基金，在RF射頻、光通信、濾波器、電力電子等方面進行布局，目標是建設面向下一代無線通信GaN器件平臺。”在本屆高峰論壇上，三安光電RF市場總監陳文欣明確指出了公司具體布局方向。

作為光電龍頭，三安光電早就大手筆布局第三代半導體。2015年6月，三安光電引入國家集成電路產業投資基金（簡稱大基金），意在推動以III—V 族化合物半導體為重點的集成電路業務進一步做大做強。此后，公司聯合福建省、大基金等共同設立了規模500億的“福建省安芯產業投資基金合伙企業”（簡稱安芯基金，首期規模75.1億元）。

在今年半年報里，三安光電披露，子公司廈門市三安集成電路有限公司（承擔第三代半導體業務）已向47家公司提交樣品，其中11顆芯片進入微量產，此外還布局了光通訊芯片、濾波器等領域。據悉，三安光電目前在第三代半導體業務上首先聚焦移動終端，產品已實現小規模量產，每月訂單近百片wafer（晶圓），預計2018年至2019年將對公司業績產生貢獻。

除三安光電外，揚杰科技、海特高新、國民技術等多家上市公司均已涉足第三代半導體業務。

揚杰科技在近期接受機構調研時表示，其碳化硅芯片技術已達到國內領先水平。早在2015年7月，揚杰科技即錨定第三代半導體，定增募資不超過10億元，用于SiC芯片、器件研發及產業化建設等項目。公司在半年報中表示，持續推進第三代寬禁帶半導體項目的研發及產業化，針對650V/1200V碳化硅JBS產品，開發并改進可與硅線相互兼容的生產工藝，以增強產能結構實時調整的能動性。

國民技術則剛剛開始搶灘這個新興領域。公司8月15日披露，其全資子公司深圳前海國民公司與成都邛崍市人民政府簽訂《化合物半導體生態產業園項目投資協議書》，由前者組織資金，以第二、三代化合物半導體外延片材料為核心基礎，在邛崍市打造化合物半導體產業鏈生態圈，項目總投資將不少于80億元，預計三年初具規模。