在國(guó)際IT制造業(yè)向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的形勢(shì)下，物聯(lián)網(wǎng)、新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)、汽車電子及高速鐵路等新興產(chǎn)業(yè)得到很大發(fā)展。作為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)，電源行業(yè)尤其是功率半導(dǎo)體器件將在各領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將保持較好的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但總量仍無法滿足需求，高壓MOSFET、IGBT大量依賴進(jìn)口。另一方面隨著以SiC、GaN為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體材料制備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體器件正在成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向。在我國(guó)，功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)鏈蓬勃發(fā)展，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體突破困局已呈必然趨勢(shì)。
第二屆（上海）電源半導(dǎo)體技術(shù)論壇將議題重點(diǎn)聚焦功率器件及SiC器件，邀請(qǐng)到了行業(yè)領(lǐng)先的 英飛凌、ROHM、Vicor、京瓷、華虹共同參加，陣容豪華。
時(shí)間： 2017年10月25日 13:30
地點(diǎn)： 上海新國(guó)際博覽中心（上海市浦東新區(qū)龍陽路2345號(hào)）W4號(hào)館
