1A和2A器件的高度為0.65mm，正向壓降低至0.36V。顯著節(jié)省空間并提高功率密度和效率
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 7 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，新增10顆采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封裝的1A和2A器件，擴充其表面貼裝的TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器節(jié)省空間，可替換SOD123W封裝的肖特基整流器，反向電壓從45V到150V，其中業(yè)內(nèi)首顆采用MicroSMP封裝的2A TMBS整流器的正向壓降低至0.40V。
目前，2A電流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封裝。今天發(fā)布的這批器件在較小的MicroSMP封裝內(nèi)也可以輸出高正向電流，從而提高了功率密度。整流器的尺寸為2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同時占板空間少45%。為實現(xiàn)良好的散熱性能，MicroSMP封裝采用了不對稱的引線框架設計。
1A整流器的正向壓降為0.36V，2A器件的正向壓降為0.40V，夠減少功率損耗，提高效率。針對低壓高頻逆變器，DC/DC轉(zhuǎn)換器，續(xù)流以及極性保護等工業(yè)和商業(yè)應用。這些器件還有通過AEC-Q101認證的版本，可用于汽車應用。
新整流器的最高工作結(jié)溫達+175℃，潮濕敏感度等級達到per J-STD-020的1級，LF最高峰值為+260℃。器件非常適合自動貼裝，符合RoHS，無鹵素。
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