莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…
可變電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的「通用」記憶體，不僅提供了隨機(jī)存取記憶體(RAM)的速度，又兼具快閃記憶體( flash)的密度與非揮發(fā)性。然而，目前，flash由于搶先進(jìn)入3D時(shí)代而較ReRAM更勝一籌。
如今，莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(Moscow Institute of Physics and Technology；MIPT)的研究人員已成功為ReRAM開發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)。
ReRAM的研發(fā)一般采用憶阻器進(jìn)行，其中，在介電層中遷移的氧空缺(oxygen vacancy)，將電介質(zhì)的電阻改變?yōu)椤?’與’0’。除了MIPT，還有來自4DS Memory Ltd.、Crossbar Inc.、HP Inc.、Knowm Inc.以及美國德州萊斯大學(xué)(Rice University)的研究人員們也為ReRAM創(chuàng)造了原型。
針對3D ReRAM，MIPT科學(xué)家Konstantin Egorov表示，「我們不僅需要在介電層中形成氧空缺，還必須為其進(jìn)行檢測」。為此，MIPT的研究人員們采用的方法是，在出現(xiàn)氧空缺的介電層中，觀察其能隙中的電子狀態(tài)
Egorov說：「為了研究在氧化鉭薄膜生長過程中形成的氧空缺，我們使用了一種整合生長PEALD[電漿輔助原子層沉積]和分析XPS(X射線光電子能譜儀)腔室(以真空管相互連接)的實(shí)驗(yàn)叢集。該叢集讓我們能生長和研究沉積層，而不至于破壞真空狀態(tài)。」
他強(qiáng)調(diào)，「這一點(diǎn)非常重要，因?yàn)橐坏恼婵罩腥〕鰧?shí)驗(yàn)樣本，介電質(zhì)的奈米層就會在其表面上氧化，導(dǎo)致氧空缺的消失。」
用于生長和研究薄膜的實(shí)驗(yàn)叢集，可在真空狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)3D堆疊（來源：MIPT）
任何半導(dǎo)體研究實(shí)驗(yàn)室都可以建構(gòu)這種獨(dú)特的原子層沉積(ALD)叢集，其方式是連接PEALD和XPS腔室，然后再添加自動操縱器，在腔室之間傳輸晶圓。除了樣本測試晶圓以外，在大量生產(chǎn)時(shí)并不需要這種叢集。然而，必須建立一條的的組裝線，以補(bǔ)償ALD薄膜緩慢的生長速度。
如果這些研究取得成功，MIPT聲稱所產(chǎn)生的ReRAM就可以垂直堆疊，成就一種可克服3D flash限制的通用記憶體；目前，3D flash僅限于64層。
與沉積氧空缺氧化鉭薄膜有關(guān)的化學(xué)反應(yīng)階段(左)，以及透過X射線光電子能譜儀進(jìn)行分析的結(jié)果(右)。（來源：MIPT）
雖然ALD的生長緩慢，但它能實(shí)現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)的共形涂層，取代MIPT和其他研究實(shí)驗(yàn)室迄今所使用的奈米薄膜沉積技術(shù)。其關(guān)鍵的區(qū)別在于ALD依次將基底暴露于前體材料和反應(yīng)物材料，并且取決于二者之間的化學(xué)反應(yīng)以產(chǎn)生主動層。
MIPT的技術(shù)還使用連接至金屬前體的化學(xué)分子配體，以便加速化學(xué)反應(yīng)，但在用于元件的主動層之前必須先移除這種配體。
MIPT首席研究員Andrey Markeev說：「沉積缺氧薄膜需要找到正確的反應(yīng)物，才能移除金屬前體中所含的配體，并且控制涂層的氧含量。因此，在經(jīng)過多次實(shí)驗(yàn)后，我們成功地使用含氧的鉭前體，以及電漿激發(fā)的氫反應(yīng)物。」
MIPT研究人員Dmitry Kuzmichev、Konstantin Egorov、Andrey Markeev和Yury Lebedinskiy，及其背后的原子層沉積機(jī)器。（來源：MIPT）
接下來，研究人員打算為這一流程進(jìn)行最佳化，并提高ALD的速度，從而為3D ReRAM實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn)。
MIPT的研究資金是由俄羅斯科學(xué)基金會(RSF)和MIPT共同提供。這項(xiàng)研究細(xì)節(jié)已發(fā)表于《ACS應(yīng)用材料和介面》(ACS Applied Materials & Interfaces)期刊的「以電漿輔助原子層沉積控制TaOx薄膜的氧空缺，實(shí)現(xiàn)可變電阻式切換的記憶體應(yīng)用」一文中。