據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，傳三星電子 （Samsung Electronics） 已在磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 （MRAM） 取得重大進(jìn)展，市場(chǎng)估計(jì)在 5 月 24 日的一場(chǎng)晶圓廠商論壇上，三星電子將會(huì)發(fā)布該公司所研發(fā)的 MRAM 內(nèi)存。

由于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存 DRAM、NAND Flash 等微縮制程已逼近極限，目前全球半導(dǎo)體巨擘皆正大舉發(fā)展次世代內(nèi)存“磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 （MRAM）”，與含 3D XPoint 技術(shù)的“相變化內(nèi)存 （PRAM）”及“電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 （RRAM）”。

上述三類次世代內(nèi)存皆具有非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，兼具高效能及低耗電之特性，估計(jì)這類次世代內(nèi)存處理速度，將比一般閃存內(nèi)存還要快上十萬倍。

目前三星電子正大力發(fā)展 MRAM 內(nèi)存，而另一半導(dǎo)體巨擘英特爾 （INTC－US） 則是強(qiáng)攻含 3D XPoint 技術(shù)的 PRAM 型內(nèi)存。

全球最大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電 （2330－TW） 亦曾在 4 月 13 日對(duì)外說明，臺(tái)積電絕對(duì)不會(huì)踏入標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存領(lǐng)域，因?yàn)榕_(tái)積電目前已具備“量產(chǎn)”MRAM 及電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 （RRAM） 等新型內(nèi)存之技術(shù)。

據(jù)韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露，全球半導(dǎo)體巨擘正在次世代內(nèi)存市場(chǎng)內(nèi)強(qiáng)力競(jìng)爭(zhēng)，這很可能將全面改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展前景，并成為未來半導(dǎo)體代工的主要業(yè)務(wù)之一。

《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》表示，磁電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存 （MRAM）、相變化內(nèi)存 （PRAM）、電阻式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 （RRAM） 等三大次世代內(nèi)存中，又以 MRAM 的處理速度最快，但也是最難量產(chǎn)的內(nèi)存類型。

據(jù)了解，目前歐洲最大半導(dǎo)體商恩智浦半導(dǎo)體 （NXPI－US） 已經(jīng)決定采用三星電子的 MRAM 內(nèi)存，以應(yīng)用在相關(guān)的物聯(lián)網(wǎng)裝置之上。