為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供更低功耗；

　　高性價(jià)比的SONOS非易失性存儲(chǔ)器具備高良率和可擴(kuò)展的工藝特點(diǎn)

　　加利福尼亞州圣何塞，2017年4月12日 –全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：CY）與中國(guó)最先進(jìn)的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司（華力）今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS （氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹(shù)立了一個(gè)新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開(kāi)始使用這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對(duì)藍(lán)牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴(kuò)展的SONOS嵌入式閃存工藝針對(duì)低功耗需求進(jìn)行了優(yōu)化，使其成為微控制器（MCU）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的理想選擇。2017年下半年，華力的客戶即可采用該技術(shù)和設(shè)計(jì)IP進(jìn)行全面量產(chǎn)。

　　賽普拉斯的SONOS嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM) 工藝與其他嵌入式NVM技術(shù)相比具有顯著的優(yōu)勢(shì)。SONOS擁有更小的存儲(chǔ)單元尺寸、更低的生產(chǎn)成本，與其他嵌入式閃存技術(shù)需要9至12層額外的掩膜不同，SONOS技術(shù)只需要在原有CMOS工藝上增加3層。SONOS本身具有高良率和極佳的可靠性、10年的數(shù)據(jù)保持、20萬(wàn)次編程/擦寫(xiě)壽命，以及強(qiáng)大的抗軟錯(cuò)誤能力。賽普拉斯已經(jīng)展示了將SONOS延伸到40納米和28納米節(jié)點(diǎn)的能力，以加速未來(lái)IP的開(kāi)發(fā)。

　　華力副總裁舒奇表示：“物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對(duì)低成本、低功耗嵌入式閃存的需求不斷提升，我們非常高興能夠達(dá)到這個(gè)里程碑，同時(shí)我們也希望能夠?qū)崿F(xiàn)迅速量產(chǎn)的目標(biāo)，以滿足客戶的需求。賽普拉斯SONOS嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)具備高性價(jià)比和高良率的特性，其可靠性和高效性對(duì)于量產(chǎn)低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品十分理想?！?/p>

　　賽普拉斯存儲(chǔ)器產(chǎn)品事業(yè)部資深副總Sam Geha表示： “華力堅(jiān)實(shí)的55納米低功耗工藝技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與我們高性能、具備領(lǐng)先可靠性的SONOS閃存技術(shù)的結(jié)合，確保了這些低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品順利實(shí)現(xiàn)試產(chǎn)。我們與華力的合作再次證明了，SONOS技術(shù)將通過(guò)賽普拉斯與世界領(lǐng)先代工廠的合作而成為嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)的最佳選擇，同時(shí)也展示了賽普拉斯致力于解決新興物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所面臨的功耗問(wèn)題的決心?！?/p>