計劃宣布推出新的 1200V SiC 肖特基二極管、1200V SiC MOSFET 技術(shù)平臺

　　中國，北京，2017年3月30日訊  - Littelfuse, Inc.，電路保護(hù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者與 Monolith Semiconductor 公司（一家位于德克薩斯州的開發(fā)碳化硅技術(shù)的初創(chuàng)公司）今天圓滿完成了它們在應(yīng)用電力電子學(xué)會議和產(chǎn)品展示會（APEC 2017）的參與計劃。圍繞“讓 SiC 成為主流 – 由客戶決定。由 Monolith 開發(fā)。由 Littelfuse 交付”的主題，今年的活動包括即將推出的新產(chǎn)品的新技術(shù)平臺的展位展示、專業(yè)教育研討會以及關(guān)注于電力設(shè)備的可靠性和碳化硅半導(dǎo)體的工業(yè)電力應(yīng)用的會議講座。

　　在將于 2017 年 5 月 16 日至 18日在德國紐倫堡舉行的 2017 年 PCIM（功率變換和智能運動控制）歐洲大會上，Littelfuse 將展示其與 Monolith Semiconductor 公司合作開發(fā)的首款商品化碳化硅器件：新型的 GEN2 系列 1200V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。光臨 PCIM 歐洲大會 Littelfuse 展位（7 號館，335 號展位）的訪客還將先睹為快這兩家公司為功率半導(dǎo)體市場合作開發(fā)的下一代技術(shù)平臺，即 1200V SiC MOSFET 生產(chǎn)線。

　　在 2017 年歐洲 PCIM 大會上，Monolith 還將參加兩場海報展示會和一場行業(yè)論壇：

　　· “SiC IGBT 和 SiC MOSFET 的系統(tǒng)級比較”，海報對話會 PP017，5 月 16 日下午 3:30-5:30，一層大廳入口 NCC Mitte。

　　· “寬溫度范圍內(nèi)開關(guān)損耗最小化的 SiC 續(xù)流二極管的特性與優(yōu)化”，海報對話會 PP019，5 月 16 日下午 3:30-5:30，一層大廳入口 NCC Mitte。

　　· “SiC MOSFET – 如何取得 SiC 二極管的成功？”，行業(yè)論壇，5 月 18 日，6 號館，6143 號展位。

　　2015 年，Littelfuse 與 Monolith 達(dá)成了開發(fā)工業(yè)和汽車市場功率半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。本月早些時候，Littelfuse 對 Monolith 追加投資 1500 萬美元。在此次增加投資后，Littelfuse 目前擁有 Monolith 公司的多數(shù)股權(quán)，并開始將 Monolith 納入其經(jīng)營財務(wù)業(yè)績之中。

　　Littelfuse 和 Monolith 在 APEC 和 PCIM 的聯(lián)合展示，展示出這兩個合作伙伴愿意在這種設(shè)計的使用的應(yīng)用開發(fā)和客戶支持上投入的資源水平。