3D 架構的 NAND 型快閃內存(Flash Memory)競爭越來越激烈，東芝(Toshiba)于去年 7 月宣布領先全球同業開始提供堆疊 64 層的 256Gb(32GB)3D Flash 的樣品出貨，之后三星于去年 8 月宣布，堆疊 64 層的 3D Flash 產品將在 2016 年 Q4(10-12月)開賣。而現在又換東芝出手，宣布容量提高 1 倍的 64 層 512Gb(64GB)3D Flash 已進行送樣，且將在今年下半年量產。
東芝 22 日發布新聞稿宣布，采用堆疊 64 層制程技術的 512Gb(64GB)3D Flash 已于 2 月上旬進行樣品出貨，且預計將在 2017 年下半年進行量產，主要用于搶攻數據中心 / PC 用 SSD等市場。另外，堆疊 16 片 512Gb 芯片、實現業界最大容量 1TB 的產品預計將在今年 4 月進行樣品出貨
東芝表示，和 48 層 256Gb 產品相比，64 層 512Gb 產品每單位面積的記憶容量擴大至約 1.65 倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加，每 bit 成本也下滑。
產經新聞報導，據東芝指出，東芝是全球第一家提供 64 層 512Gb 3D Flash 樣品的廠商;東芝已于今年 1 月量產 64 層 256Gb 3D Flash 產品。
報導指出，東芝推出 512Gb 產品，就是要用來對抗三星等競爭對手，而韓國 SK Hynix 則計劃在今年下半年量產 72 層產品，研發競爭益發激烈。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。