西部數(shù)據(jù)（WD）于今日（7 日）宣布其已開始生產(chǎn)業(yè)內(nèi)最密集的 3D NAND 閃存芯片，堆疊達(dá)到了 64 層。當(dāng)然，每單元存數(shù)比特位數(shù)也從 2 增加到了 3（說白了就是從 MLC 變成了 TLC）。

西數(shù)及其合作伙伴東芝將其“垂直 3D 堆疊技術(shù)”稱作Bit Cost Scaling（簡(jiǎn)稱 BiCS），而西數(shù)方面也已開產(chǎn)首批 64 層 512 Gb 的 3D NAND 芯片。

（圖片來源：東芝）

其生產(chǎn)過程與摩天大樓的建造類似，能夠在較小的地面上組合出密集的結(jié)構(gòu)，使得每 Gb 的成本效益更加明顯。此外，這項(xiàng)技術(shù)還增加了數(shù)據(jù)可靠性、以及固態(tài)存儲(chǔ)速度。

3D NAND 讓制造商們可以克服 NAND 閃存的物理限制，因?yàn)殡S著晶體管尺寸接近 10nm，其進(jìn)一步收縮的能力將迅速消散。

▲ 西數(shù) BiCS 3D NAND 閃存結(jié)構(gòu)圖（64 層堆疊）

最新 3D NAND 閃存已經(jīng)用到了一片外形如同口香糖般大小、但容量高達(dá) 3．3 TB 的固態(tài)硬盤（SSD）驅(qū)動(dòng)器上。如果采用 2．5 英寸的外形，其容量更可輕松超過 10 TB 。

除了三星和東芝，英特爾和鎂光也在生產(chǎn) 3D NAND 產(chǎn)品。

三星是首家宣布量產(chǎn) 3D 閃存芯片的企業(yè)（2014 年），其技術(shù)被命名為 V－NAND，起初只堆疊了 32 層，但也將存儲(chǔ)位元從 MLC 改進(jìn)到了 TLC。所以其 TLC 產(chǎn)品的容量（128 Gbits ／ 16 GB）比東芝初代 48 層 NAND 芯片還要高）。

西數(shù)于 2016 年 7 月首次向公眾展示了其 64 層 3D NAND 技術(shù)，新芯片已于日本四日市制造工廠開始試產(chǎn)，該公司計(jì)劃在 2017 年 下半年開始量產(chǎn)。