都說半導體制程微縮開始進入瓶頸期，不過在單晶硅難以繼續微縮的時候，人們開始尋求新的替代產品。碳納米管是替代硅的候選納米材料之一，而碳納米管晶體管的主要技術挑戰過去幾年已被陸續得到解決，極有可能在不久的將來走到我們面前。北京大學的科學家開發出柵長5納米的碳納米管場效應晶體管，聲稱其性能超過相同尺寸的硅晶體管。
碳納米管假想圖
與傳統的硅基互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管相比，碳納米管晶體管的柵電容更小，與相同尺寸下的碳納米管開關速度要比硅基互補金屬氧化物晶體管快上很多。10納米碳納米管CMOS柵電容導致的延遲大約為70飛秒，僅為英特爾14納米硅基CMOS的三分之一。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。