物聯網(IoT)由數十億“物”連接到互聯網，其中每一物都必須被供電，因此如何降低整體功耗變得非常關鍵。
安森美半導體中國區應用工程總監 吳志民
第六級能效標準需要新的開關控制器
一般來說，物聯網的電源來源于電池或AC-DC轉換。對于AC-DC轉換，監管機構強制實行日益嚴格的能效和空載功耗要求，如美國能源部第六級(DoE level VI)能效標準。半導體廠商需推出新的開關控制器以符合最新能效標準。安森美半導體推出了NCP1340/1新一代準諧振開關控制器，具有X2電容放電能力，開關電壓谷底鎖定達第六谷底和轉換至頻率折返模式以降低開關損耗。該新的IC使我們客戶的設計能輕易滿足美國能源部最新的第六級(DoE level VI)標準。
氮化鎵產品更適用于高端電源
氮化鎵（GaN）目前逐漸被采用，有高壓600 V或650 V常斷型GaN晶體管，可提供比硅MOSFET更低的導通和開關損耗。由于GaN器件的價格仍比硅MOSFET高，所以被采用于需要超高能效或功率密度的高端電源。
電動汽車為電池管理帶來新的機遇
在電動車內部有大量的半導體成分。其中，最高的價值來自驅動電機逆變電路的功率半導體模塊。相信電動車接替傳統車輛還需要一段時間。采用48 V總線的輕度混合動力車正日漸普及，除了驅動帶式起動發電機（BSG）的中壓（如80 V）功率模塊，48 V/12 V雙向DC-DC轉換器給安森美半導體帶來許多中壓MOSFET商機。
除了早前推出的新一代AC-DC開關控制器NCP1340/1，安森美半導體將推出一系列高壓（達80 V）、高電流（達15 A）的同步整流開關穩壓器，適用于電信和工業應用。另外，在功率分立器件方面，2017年將推出第三代超結MOSFET和碳化硅(SiC) MOSFET系列。