成熟的ASIC IP解決方案將大幅提高下一代高速應用的性能和能效

　　美國加利福尼亞州圣克拉拉市，2016年12月13 日 ——格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。

　　格羅方德56Gbps SerDes 內核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極具挑戰性的系統環境中部署昂貴的高功耗中繼器。56Gbps SerDes采用突破性的創新架構，實現了業界領先的長距離傳輸性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR 和 IEEE 802.3cd等新興的50Gbps行業標準。

　　FX-14產品可提供多種高速SerDes (HSS) 解決方案，其制造基礎是位于紐約州馬耳他市Fab 8工廠內的成熟且經生產驗證的14納米FinFET (14LPP)平臺。一流的高性能56Gbps架構可提供業界領先的抖動性能和均衡支持，可在多種高速接口標準下強化系統性能，并可為當前及未來的頂尖網絡、計算和存儲應用構建高速連接和低功耗的解決方案。

　　“這一里程碑彰顯出我們能夠設計出最佳的ASIC解決方案，并以極具競爭力的功率和芯片面積為最為嚴苛的網絡和數據中心應用提供業內頂尖的56Gbps性能?！备窳_方德全球銷售和業務開發部高級副總裁Mike Cadigan先生表示：“憑借成功且歷經考驗的SerDes開發和ASIC技術經驗，并與格羅方德的14LPP技術完美結合，我們將助力客戶通過集成且高性能的內核將新應用經濟高效地推向市場?！?/p>

　　“網絡帶寬的爆發式提升，持續推動著具有業界領先的接口速度和密度的ASIC解決方案的需求，”林利集團(Linley Group)首席分析師Bob Wheeler先生指出：“格羅方德可提供尖端SerDes 內核，實現一流ASIC解決方案的快速上市，同時提高下一代網絡設備的帶寬容量、可擴展性和能效?！?/p>

　　憑借眾多領先優勢，諸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多個30Gbps SerDes設計，亦支持多種外置內存接口，格羅方德FX-14設計系統進一步鞏固了公司在HSS方面的領導地位。格羅方德的嵌入式內存解決方案包括行業最快和功耗最低的嵌入式TCAM，與前代產品相比，其性能提高60%，漏電率降低80%，而SRAM的密度和性能也有所優化。

　　目前，客戶正在設計基于14LPP工藝技術的高級ASIC解決方案，該方案使用56Gbps和其他FX-14 SerDes內核。56Gbps SerDes技術目前正在客戶渠道中展示，而開發板將于2017年第一季度初投放市場。針對下一代數據通信網絡，格羅方德正在開發易于遷移的先進電氣解決方案和光學替代解決方案，以便讓多種技術實現112Gbps及以上的通信能力。