2015年Intel、三星、TSMC都已量產(chǎn)16/14nm FinFET工藝，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是明年的10nm，而10nm之后的半導(dǎo)體制造工藝公認(rèn)越來越復(fù)雜，難度越來越高，甚至可能讓摩爾定律失效，需要廠商拿出更多投資研發(fā)新技術(shù)新材料。

　　TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。

　　TSMC日前舉行股東會(huì)議，雖然董事長(zhǎng)張忠謀并沒有出席，不過兩大聯(lián)席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅都出席了會(huì)議，公布了TSMC公司Q2季度運(yùn)營(yíng)及技術(shù)發(fā)展情況，該公司調(diào)高了今年的資本支出到95-105億美元，高于Intel公司的90-100億美元，顯示對(duì)未來發(fā)展的看好。

　　至于工藝進(jìn)展，劉德音公布了TSMC的2020路線圖，認(rèn)為EUV光刻工藝在2020年時(shí)能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本，TSMC計(jì)劃在5nm節(jié)點(diǎn)上應(yīng)用EUV工藝以提高密度、簡(jiǎn)化工藝并降低成本。

　　目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節(jié)點(diǎn)研發(fā)上使用了EUV工藝，實(shí)現(xiàn)了EUV掃描機(jī)、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺(tái)ASML公司的NX:3400光刻機(jī)在運(yùn)行，2017年Q1季度還會(huì)再購買2臺(tái)。

　　之前有報(bào)道稱三星也購買了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機(jī)，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)。

　　EUV是新一代半導(dǎo)體工藝突破的關(guān)鍵，但進(jìn)展一直比較緩慢，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節(jié)點(diǎn)就能用上EUV工藝，之后又說7nm節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)EUV工藝，但現(xiàn)實(shí)情況并沒有這么樂觀，現(xiàn)在他們的說法也是2020年的5nm節(jié)點(diǎn)，跟Intel的預(yù)計(jì)差不多了。

　　5nm還很遙遠(yuǎn)，10nm及7nm還比較現(xiàn)實(shí)，TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個(gè)客戶完成流片，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯(lián)發(fā)科X30(被海思、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了)以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計(jì)就是這三家了。

　　TSMC表示今年底之前還會(huì)有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。

　　至于7nm，TSMC表示他們已經(jīng)提前256Mb SRAM芯片，進(jìn)展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對(duì)手更出色，已經(jīng)有高性能客戶預(yù)計(jì)在2017年上半年流片，正式量產(chǎn)則是在2018年。