2016年3月16日，北京訊——ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰略合作協議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數據中心。此外，該協議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米 和10納米 FinFET工藝技術合作。

　　ARM全球執行副總裁兼產品事業群總裁 Pete Hutton表示：“現有基于ARM的平臺已展現提升高達10倍運算密度的能力，用以支持特定數據中心的工作負載。未來的ARM技術將適用于數據中心和網絡基礎設施，并針對臺積電7納米 FinFET進行優化，從而幫助我們共同的客戶將行業最低功耗的架構應用于不同性能要求的領域。”

　　臺積電研究發展副總經理侯永清表示：“臺積電不斷投資先進的工藝技術，致力于幫助我們的客戶取得成功。憑借7納米 FinFET，我們的工藝和生態系統解決方案已從移動手機拓展至高性能計算。 得益于臺積電行業領先的7納米 FinFET工藝，客戶在設計下一代高性能計算芯片時，相比10納米 FinFET工藝節點，能在相同功耗獲得更好性能表現，或者在相同性能表現的情況下，實現更低功耗。 聯合優化的ARM和臺積電的解決方案有助于我們客戶推出顛覆性產品，并率先面向市場。”

　　最新的合作協議基于ARM和臺積電此前在16納米 FinFET和10納米 FinFET工藝上取得的成功。臺積電和ARM此前合作所取得的聯合創新，使客戶得以從最前沿的工藝技術和IP中獲益，以加快產品研發周期。例如，盡早獲取Artisan物理IP、以及試產16納米 FinFET 和 10納米 FinFET的ARM Cortex?-A72處理器。