上海2015年12月10日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所股票代碼：981），中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)，與円星科技(“M31 Technology Corporation”)，專業(yè)的IP開發(fā)商，今日共同宣布，中芯國際將采用円星科技差異化高速接口IP，針對固態(tài)硬盤(SSD)、通用快閃存儲器(UFS)與USB閃存盤，推出多樣化的存儲控制器應(yīng)用IP解決方案?；谥行緡H從110nm到28nm的邏輯工藝技術(shù)，此存儲控制器應(yīng)用平臺可協(xié)助客戶實(shí)現(xiàn)低功耗、高性能和小晶片面積的產(chǎn)品設(shè)計，同時推動中芯國際的工藝平臺實(shí)現(xiàn)更多差異化的應(yīng)用。

       針對固態(tài)硬盤(SSD)市場，中芯國際40nm低漏電工藝采用円星科技所開發(fā)的新一代PCIe 3.0物理層IP，此IP已與多家廠商的控制器搭配測試并符合PCI-SIG的規(guī)范，針對不同帶寬需求，提供1 lane, 2 lane以及4 lane的選擇，協(xié)助客戶快速開發(fā)出能夠支持PCle 3.0固態(tài)硬盤的芯片。此外，中芯國際預(yù)計將在28nm先進(jìn)工藝采用PCIe 3.0物理層IP，提供客戶更快速度、更省功耗的解決方案。

       由于通用快閃存儲器2.0(Universal Flash Storage； UFS 2.0 將成為新一代內(nèi)嵌式存儲器的主流規(guī)格，中芯國際55nm LL工藝采用円星科技開發(fā)的MIPI M-PHY物理層IP，具備高帶寬能力與低功耗特性，已與多家廠商的控制器搭配測試并通過UFS 2.0的系統(tǒng)驗(yàn)證。另中芯國際預(yù)計將在28nm HK工藝與40nm LL工藝采用円星科技的MIPI M-PHY物理層IP，除了可支持雙通道技術(shù)之外，更支持極端省電的休眠模式，尤其適合新一代的行動裝置使用。

       在USB閃存控制器產(chǎn)品應(yīng)用上，円星科技自行開發(fā)的BCK （Built-in-Clock；內(nèi)建頻率）技術(shù)，為行動裝置芯片提供無石英震蕩器(Crystal-less)的解決方案，已在中芯國際55nm和110nm工藝協(xié)助客戶導(dǎo)入量產(chǎn)。新一代的BCK技術(shù)除了支持傳統(tǒng)USB 1.1/2.0/3.0裝置端之外，也支持32.768KHz的頻率輸入, 除了能擴(kuò)大BCK技術(shù)至USB主機(jī)端的應(yīng)用之外，其低功率消耗的特性，也滿足了物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求。

       隨著 Type-C接口的普及，円星科技正在中芯國際28nm及40nm工藝上開發(fā)USB3.1/USB3.0 PHY IP，將原本需要外接的高速交換器 (High-speed switch)，內(nèi)建于PHY IP之中來支持無方向性的插拔，同時也支持不同VBUS組態(tài)的偵測，已成功導(dǎo)入客戶的產(chǎn)品設(shè)計。

       中芯國際設(shè)計服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示，“中芯國際在著重發(fā)展先進(jìn)技術(shù)的同時，始終堅持特殊工藝及差異化產(chǎn)品的開發(fā)。在存儲控制器產(chǎn)品領(lǐng)域，中芯國際的邏輯工藝技術(shù)和IP已布局多年，現(xiàn)已發(fā)展成熟并進(jìn)入量產(chǎn)，能夠?yàn)榭蛻籼峁┎町惢鉀Q方案，滿足大數(shù)據(jù)存儲對高性能、低功耗存儲控制器產(chǎn)品的需求。円星科技是中芯國際的重要IP合作伙伴之一，有提供高速接口客戶多樣化解決方案的實(shí)力，未來我們期待雙方能夠進(jìn)一步緊密合作，共創(chuàng)雙贏?！?/p>

       円星科技董事長林孝平表示，“中芯國際在諸多先進(jìn)工藝上已陸續(xù)采用円星科技經(jīng)技術(shù)驗(yàn)證的IP，如 PCIe 3.0、MIPI M-PHY V3.0、USB3.0等產(chǎn)品，解決了當(dāng)今主流存儲裝置各種芯片互連的需求，業(yè)者可集中心思在設(shè)計開發(fā)上，無需再耗費(fèi)時間驗(yàn)證IP。通過與中芯國際的合作，我們相信能夠以優(yōu)質(zhì)的差異化高速接口IP和專業(yè)的服務(wù)來支持全球客戶。”