Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業內最低導通電阻記錄
2014-03-28
賓夕法尼亞、MALVERN— 2014 年3 月27 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm x 2mm。
今天發布的器件適用于負載和充電器開關、DC/DC轉換器，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、非植入便攜式醫療產品、帶有小型無刷直流電機的手持式消費電子產品中電源管理應用的H橋和電池保護。SiA936EDJ為這些應用提供了34mΩ(4.5V)、37mΩ(3.7V)和45mΩ(2.5V)的極低導通電阻，并內建ESD保護功能。器件在2.5V下的導通電阻比最接近的8V VGS器件低11.7%，同時具有更高的(G-S)防護頻帶，比使用12V VGS的最接近器件的導通電阻低15.1%。
器件的低導通電阻使設計者可以在其電路里實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命。雙片SiA936EDJ把兩顆MOSFET集成在一個小尺寸封裝里，簡化了設計，降低了元器件數量，節省了重要的PCB空間。MOSFET進行了100%的Rg測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
SiA936EDJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站www.vishay.com。