中科漢天下致力于無線通信芯片及射頻前端芯片的研發。日前，該公司推出了國內首顆可大規模量產并具有完全自主知識產權的CMOS GSM射頻前端芯片—HS8269。
HS8269采用標準CMOS工藝，將全部電路（射頻功率放大器、控制器和天線開關）集成于一顆CMOS晶圓中，實現了目前GaAs射頻前端方案至少需要三顆晶圓才能實現的功能，該芯片支持四頻段發射（GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900）和雙頻段接收（GSM/DCS），能夠有效實現功率放大、功率控制、開關切換的功能。
作為國內首顆可大規模量產并具有完全自主知識產權的CMOS GSM射頻前端芯片，HS8269在功率、效率等方面表現出色，這些指標達到或超過同類GaAs射頻前端芯片水平。HS8269具有超低的雜散，可以順利通過各種國家標準（例如CTA等）測試。同時，HS8269具有高可靠性和高靜電防護能力：在負載失配VSWR=20:1條件下芯片仍不會損壞； 所有端口人體模式ESD防護能力均在2000V以上，天線端人體模式ESD防護能力在8000V以上。
中科漢天下推出CMOS GSM射頻前端芯片
HS8269采用LGA封裝方式，芯片尺寸為7.0mm x 6.0mm x 1.0mm，管腳設置與主流方案相匹配，真正實現無縫兼容，并將客戶的缺貨風險降至最低。HS8269芯片內部集成50歐姆負載匹配，外圍電路簡單，減小了手機布板的復雜性和PCB面積，有效地為客戶節省成本。
中科漢天下推出CMOS GSM射頻前端芯片
“我們一直不斷致力于高性價比的無線通信芯片及射頻前端產品的創新和研發”，中科漢天下董事長楊清華表示，“HS8269集成在一顆CMOS晶圓上，有更高的集成度、更低的成本。作為一款具有業界最高性價比的CMOS GSM射頻前端芯片，HS8269能夠幫助我們的客戶快速推出更有競爭力的手機終端。”
