飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)展PowerTrench® MOSFET系列 提高功率密度并增加SMPS設(shè)計(jì)效率
2012-08-17
提升功率密度和輕載效率是服務(wù)器、電信和AC-DC電源設(shè)計(jì)人員的主要考慮問(wèn)題。此外，這些開(kāi)關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中的同步整流需要具有高性?xún)r(jià)比的電源解決方案，以便最大限度地減小線(xiàn)路板空間，同時(shí)提高效率和降低功耗。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)擴(kuò)展PowerTrench® MOSFET系列來(lái)幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
這些產(chǎn)品屬于中等電壓MOSFET產(chǎn)品系列成員，是結(jié)合低柵極電荷(QG)、低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和軟反向恢復(fù)體二極管的優(yōu)化功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，可以實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)。這些器件備有40V、60V和80V額定電壓型款，由于采用優(yōu)化的軟反向恢復(fù)體二極管，減少了緩沖器電路的功耗，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，可將電壓尖刺減少多達(dá)15%。
這些器件采用具有電荷平衡功能的屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，從而達(dá)到較高的功率密度、較低的振鈴和更好的輕載效率。通過(guò)使用這項(xiàng)技術(shù)，新器件獲得了較低的品質(zhì)因數(shù)(QG ×RDS(ON))，同時(shí)降低驅(qū)動(dòng)損耗來(lái)提高功率效率。
這一系列的首批器件包括采用Power56封裝的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引腳封裝的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。
特性和優(yōu)勢(shì)
· 較小的封裝尺寸(Power56和TO-220 3引腳封裝)，具有最大的熱性能/系統(tǒng)尺寸比
· 較低的QG以降低柵極驅(qū)動(dòng)損耗
· 低QGD/QGS比，防止不必要的誤導(dǎo)通，提高系統(tǒng)可靠性
· 低動(dòng)態(tài)寄生電容，減少高頻應(yīng)用的柵極驅(qū)動(dòng)損耗
· 100% UIL測(cè)試
· 滿(mǎn)足RoHS要求
新增的PowerTrench®MOSFET器件豐富了飛兆半導(dǎo)體中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrench技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿(mǎn)足現(xiàn)今電子產(chǎn)品的電氣和散熱性能要求，在實(shí)現(xiàn)更高能效水平方面發(fā)揮重要的作用。
價(jià)格：訂購(gòu)1,000個(gè)
FDMS015N04B: 每個(gè)1.78美元
FDMS039N08B: 每個(gè)1.60美元
FDP020N06B: 每個(gè)4.50美元
FDP027N08B: 每個(gè)3.30美元
供貨:按請(qǐng)求提供樣品
交貨期: 收到訂單后8至12周內(nèi)
編輯注：產(chǎn)品的PDF 格式數(shù)據(jù)表可從此網(wǎng)址獲?。?/p>
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飛兆半導(dǎo)體公司簡(jiǎn)介
美國(guó)飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號(hào)：FCS) －全球營(yíng)運(yùn)、本地支持、創(chuàng)新觀念。飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)為功率及便攜設(shè)計(jì)提供高能效、易于應(yīng)用及高增值的半導(dǎo)體解決方案。我們幫助客戶(hù)開(kāi)發(fā)差異化的產(chǎn)品，并以我們?cè)诠β屎托盘?hào)路徑產(chǎn)品上的專(zhuān)業(yè)知識(shí)解決他們遇到的困難技術(shù)挑戰(zhàn)。查詢(xún)更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)網(wǎng)站：www.fairchildsemi.com。