?? 集成電路作為信息產業的基礎和核心，是國民經濟和社會發展的戰略性產業，在推動經濟發展、社會進步、提高人民生活水平以及保障國家安全等方面發揮著重要作用，已成為當前國際競爭的焦點和衡量一個國家或地區現代化程度以及綜合國力的重要標志。

　　“十一五" title="十一五">十一五”期間，大力發展集成電路產業" title="集成電路產業">集成電路產業，盡快建立一個自主創新能力不斷提高、產業規模不斷擴大的產業體系，對于保障信息安全、經濟安全，增強國防實力，以及推動社會進步，提高人民生活水平，具有極其重要的戰略意義和現實意義。

　　按照《國民經濟和社會發展第十一個五年規劃綱要》中“大力發展集成電路、軟件和新型元器件等核心產業”以及《信息產業“十一五”規劃》中“完善集成電路產業鏈”的總體要求，在深入研究、廣泛調研的基礎上，突出集成電路行業的特點，編制集成電路專項規劃，作為集成電路行業發展的指導性文件和加強行業管理的依據。

　　“十五”回顧

　　產業和市場規模迅速擴大。自從18號文件頒布以來，我國" title="我國">我國集成電路產業進入發展最快的歷史階段。2005年集成電路產量達到266億塊，銷售收入由2000年的186億元提高到2005年的702億元，年均增長30.4%，占世界集成電路產業中的份額由1.2%提高到4.5%。市場規模迅速擴大，2005年我國集成電路市場規模較2000年翻了兩番，達到3800億元，占全球比重達25%，成為全球僅次于美國的第二大集成電路市場。

　　部分關鍵技術領域取得突破。32位CPU芯片、網絡路由交換芯片、GSM/GPRS手機基帶芯片、TD-SCDMA基帶芯片、數字音視頻和多媒體處理芯片、第二代居民身份證芯片等一批中高端產品相繼研發成功并投入市場，產品設計能力達到0.18微米，集成度超過千萬門；集成電路芯片生產線工藝水平達到12英寸0.13微米，90納米工藝技術研發取得進展，與國外先進水平之間的差距明顯縮小；分辨率193nmArF準分子激光步進掃描投影光刻機、100nm大角度離子注入機、100nm高密度離子刻蝕機等重大技術裝備取得重要突破。

　　產業結構日趨合理。我國集成電路產業已初步形成了設計、芯片制造和封裝測試三業并舉、較為協調的發展格局。經過“十五”的發展，設計業" title="設計業">設計業和芯片制造業在產業中的比重顯著提高，由2000年的31%提高到2005年的50.9%，封裝與測試比重由同期的69%下降到49.1%，較為合理的產業結構初步形成。

　　骨干企業成長迅速。2005年銷售額過億元的集成電路設計公司已近20家，一批集成電路設計公司成功上市。上海華虹NEC電子有限公司、中芯國際集成電路制造有限公司等企業的工藝技術水平大幅提高，國際競爭力顯著增強，成為全球第七位和第三位芯片加工企業。2005年銷售額過10億元的封裝測試企業超過10家，江陰長電科技股份有限公司、南通富士通微電子股份有限公司、天水華天科技股份有限公司等封裝測試企業產能不斷擴大，技術水平不斷提升。

　　產業集群效應凸顯。集成電路產業集聚效應明顯，2005年長江三角洲、京津地區集成電路銷售額之和達到644.17億元，占同年全國總銷售額的91.7%。國家(上海)集成電路產業園、國家(蘇州)集成電路產業園等5個國家級集成電路產業園區集聚和輻射帶動作用日益顯現。

　　產業環境逐步改善。《鼓勵軟件產業和集成電路產業發展" title="產業發展">產業發展若干政策》(國發[2000]18號)的頒布實施，集成電路專項研發資金的設立，知識產權保護力度不斷加強，為我國集成電路產業提供了良好的政策環境，極大地調動了國內外各方面投資集成電路產業的積極性，5年來吸引外資累計約160億美元。

　　盡管“十五”期間成績顯著，但是集成電路產業仍存在諸多問題。產業政策尚未完全落實到位，投融資環境還有待進一步改善；自主創新能力薄弱，缺乏核心技術和自主品牌；產業研發投入嚴重不足，總體技術水平與國外有很大差距；制造技術以代工為主，缺乏自主品牌；產業規模小，與國內市場規模差距較大；產品結構滯后于市場需求，進出口貿易逆差不斷擴大；集成電路專用材料及設備自給率低，集成電路產業鏈并未完善；集成電路高級專業人才缺乏。



　　“十一五”面臨的形勢

　　(一)集成電路技術發展趨勢

　　市場和技術雙重驅動創新。第三代移動通信、數字電視、下一代互聯網等領域重大技術和市場的快速發展，“三網融合”的不斷推進，驅動集成電路產業的技術創新和產品創新。多技術、多應用的融合將催生新的集成電路產品出現，納米技術的發展、新體系架構等新技術發明也在孕育著新的突破。

　　集成電路設計新技術不斷涌現。隨著90納米及以下微細加工技術和SoC設計技術的發展，軟硬件協同設計，高速、高頻、低功耗設計，IP復用、芯片綜合/時序分析、可測性/可調試性設計，總線架構、可靠性設計等技術將得到更快的發展和更廣泛的應用。

　　65納米～45納米工藝將實現產業化。“十一五”期間，12英寸、65納米～45納米微細加工工藝將實現工業化大生產，銅互聯工藝、高K、低K介質材料等將大規模采用；新型柵層材料、下一代光刻技術、光學和后光學掩模版、新型可制造互連結構和材料、光刻膠等工藝、材料將成為技術研發的重點；SOI、SiGe等材料顯示出了良好的應用前景。

　　適應更高要求的新型封裝及測試技術成為主流。集成電路封裝正向高密度、高頻、大功率、高可靠性、低成本的方向發展。球柵陣列封裝(BGA)、芯片倒裝焊(Flipchip)、堆疊多芯片技術、系統級封裝(SiP)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等封裝類型將是“十一五”期間的主流封裝形式。隨著芯片性能的提高和規模的擴大，測試復雜度不斷提高，自動測試技術和測試設備將快速發展，高速器件接口、可靠性篩選方法、高效率和低成本的測試技術等將成為測試的發展重點。

　　(二)集成電路市場分析

　　從上世紀70年代以來，世界集成電路市場雖有波動，但仍保持了年均約15%的增長率。經歷了2001年的衰退后，世界集成電路市場銷售額逐年增長，2005年實現銷售額1928億美元，達到歷史最高水平。預計“十一五”期間，集成電路整體市場將保持平穩增長，波動幅度將趨緩，到2010年世界集成電路市場規模約為3000億美元，平均增長率約14%。微處理器與微控制器、邏輯電路和存儲器等三大類通用集成電路仍將占據主要市場，專用集成電路市場將較快增長。

　　未來5年，我國集成電路市場將進一步擴大，預計年均增長速度約為20%，到2010年，我國集成電路市場規模將突破8300億元(2006～2010年我國集成電路市場需求預測見下表)，采用0.18微米及以下技術的產品將逐步成為市場的主流產品，產品技術水平多代共存將是我國集成電路市場的特點。信息技術的快速發展，新應用領域的出現如移動通信、數字音視頻產品、智能家庭網絡、下一代互聯網、信息安全產品、3C融合產品、智能卡和電子標簽、汽車電子等的需求將形成集成電路新的經濟增長點。“十一五”期間我國集成電路進口額年均增長率將在15%以上，貿易逆差局面難以得到改變。

　　(三)集成電路產業面臨的環境

　　國內產業政策環境將不斷改善。中央、地方各級政府和有關部門高度重視集成電路產業的發展，《進一步鼓勵軟件產業與集成電路產業發展的若干政策》等政策的出臺，將為集成電路產業發展提供更加有利的政策環境。

　　投資強度和技術門檻越來越高。1條12英寸集成電路前工序生產線投資規模超過15億美元，產品設計開發成本上升到幾百萬美元乃至上千萬美元。企業的資金實力和技術創新能力成為競爭的關鍵。

　　國外高端技術轉移限制仍將繼續。作為戰略性產業，全球主要發達國家越來越重視集成電路產業發展，為保持其領先地位，仍將控制關鍵技術裝備、材料、高端設計和工藝技術向發展中國家轉移，國內產業面臨的技術挑戰仍將長期存在。

　　知識產權和專利等摩擦將加劇。隨著全球化競爭的不斷深入，跨國公司利用其在技術、市場和資金的主導地位，更多地采用知識產權等技術手段開展競爭，國內企業發展面臨各方面的壓力。
“十一五”發展思路與目標

　　(一)發展思路

　　繼續落實和完善產業政策，著力提高自主創新能力，推進集成電路產業鏈各環節協調發展。以應用為先導、優先發展集成電路設計業；積極發展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵新一代芯片生產線建設，推動現有生產線的技術升級；提升高密度封裝測試能力；增強關鍵設備儀器和基礎材料的開發能力。形成以設計業為龍頭、制造業為核心、設備制造和配套產業為基礎，較為完整的集成電路產業鏈。

　　設計業：鼓勵設計業與整機之間的合作，加快涉及國家安全和量大面廣集成電路產品的設計開發，培育一批具有較強自主創新能力的骨干企業，開發具有自主知識產權的集成電路產品。

　　制造業：鼓勵現有生產線的技術升級和改造，形成90納米工藝技術的加工能力；積極發展集成器件制造(IDM)模式，鼓勵新一代芯片生產線建設；引導產業向有基礎、有條件的地區集聚，形成規模效應。

　　封裝測試業：加快封裝測試業的技術升級。積極調整產品、產業結構，重點發展 SIP、Flipchip、BGA、CSP、MCM等先進封裝技術，提高測試水平和能力。

　　材料、設備等支撐業：以部分關鍵設備、材料為突破口，重視基礎技術研究，加快產業化進程，提高支撐能力。

　　(二)發展目標

　　1.主要經濟指標

　　到2010年，我國集成電路產業產量達到800億塊，實現銷售收入約3000億元，年均增長率達到30%，約占世界集成電路市場份額的10%，滿足國內30%的市場需求。
　
　　2.結構調整目標

　　到2010年，集成電路產業結構進一步得到優化，芯片設計業在行業中的比重提高到23%，芯片制造業、封裝與測試業比重分別為29%和48%，形成基本合理的產業結構。

　　3.技術創新目標

　　到2010年，芯片設計能力大幅提升，開發一批具有自主知識產權的核心芯片，主流設計水平達到0.13μm～90nm；國內重點整機應用自主開發集成電路產品的比例達到30%左右。芯片制造業的大生產技術達到12英寸、90nm-65nm；封裝測試業進入國際主流領域，實現系統封裝(SiP)、芯片倒裝焊(Flipchip)、球柵陣列封裝(BGA)、芯片級封裝(CSP)、多芯片組件(MCM)等新型封裝形式的規模生產能力。12英寸部分關鍵技術裝備、材料取得突破并進入生產線應用。

　　重點任務

　　?(一)加快集成電路共性技術研發和公共服務平臺建設

　　面向產業需求，建立企業化運作、面向行業的、產學研用相結合的國家集成電路研發中心，重點開發SoC等產品設計、納米級工藝制造、先進封裝與測試等產業鏈各環節的共性關鍵技術，為實現產業可持續發展提供技術來源和技術支持。

　　支持集成電路公共服務平臺的建設，為企業提供產品開發和測試環境，在EDA設計工具、知識產權保護、產品評測等方面提供公共服務，促進中小企業的發展。

　　(二)重點支持量大面廣產品的開發和產業化

　　面向高清晰度數字電視、移動通信、計算機及網絡、信息安全產品、智能卡及電子標簽產品、汽車電子等市場需求大的整機市場，引導芯片設計與整機結合，加大重點領域專用集成電路(ASIC)的開發力度，重點開發數字音視頻相關信源、信道芯片、圖像處理芯片，移動通信終端基帶芯片、高端通信處理芯片、信息安全芯片等量大面廣的產品，形成一批擁有核心技術的企業和具有自主知識產權的產品。

　　(三)增強芯片制造和封裝測試能力

　　提高產業控制力，支持“909”工程升級改造；繼續堅持對外開放，積極利用外資，鼓勵集成器件制造(IDM)模式的集成電路企業發展，促進設計業、制造業的協調互動發展；重點發展12英寸集成電路生產線，建設5條以上12英寸、90納米的芯片生產線；建設10條8英寸0.13微米～0.11微米芯片生產線，提高6英寸～8英寸生產線的資源利用水平；加強標準工藝模塊開發和IP核的開發，不斷滿足國內芯片加工需求。積極采用新封裝測試技術，重點發展BGA、PGA、CSP、MCM、SIP等先進封裝技術，擴大產業規模，提高測試技術和水平。

　　(四)突破部分專用設備儀器和材料

　　掌握6英寸～8英寸集成電路設備的制備工藝技術，重點發展8英寸～12英寸集成電路生產設備，包括光刻機、刻蝕機、離子注入機、平坦化設備、摻雜設備、快速熱處理設備，劃片機、鍵合機、硅片減薄機、集成電路自動封裝系統等設備，具備為6英寸～8英寸生產設備進行維護和翻新能力；力爭實現100nm分辨率193nmArF準分子激光步進掃描投影光刻機、高密度等離子體多晶硅刻蝕機、大角度傾斜大劑量離子注入機等重大關鍵裝備產業化；重點開發12英寸硅拋光片和8英寸、12英寸硅外延片，鍺硅外延片，SOI材料，寬禁帶化合物半導體材料、光刻膠、化學試劑，特種氣體、引線框架等材料，為產業發展提供有力支撐。

　　(五)推進重點產業園區建設

　　發揮國家、地方政府和各產業園區的積極性，重點建設北京、天津、上海、蘇州、寧波等國家集成電路產業園，不斷優化發展環境、完善配套服務設施，引導集成電路企業落戶園區，以園區內骨干企業為龍頭，加強產業鏈建設，帶動相關企業的發展，提高園區競爭實力。

　　政策措施

　　(一)加快制定法規與政策，進一步營造良好的產業環境

　　積極推進《軟件與集成電路產業發展促進條例》的編制，加快推出《關于進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業的若干政策》，加大知識產權保護力度，促進集成電路產業的健康發展。

　　(二)進一步加大投入力度

　　加大政府投入，形成集成電路專項研發資金穩定增長機制。研究設立“國家集成電路產業發展基金”，鼓勵集成電路企業技術創新和新產品開發，促進行業技術進步；組織實施集成電路重大工程和國家科技重大專項，研發集成電路關鍵技術和產品；鼓勵國家政策性金融機構重點支持重點集成電路技術改造、技術創新和產業化項目；支持集成電路企業在境內外上市融資；鼓勵境內外各類經濟組織和個人投資集成電路產業。

　　(三)繼續擴大對外開放，提高利用外資質量

　　堅持對外開放，繼續優化環境，大力吸引國(境)外資金、技術和人才。重點吸引有實力的跨國公司在國內建設高水平的研發中心、生產中心和運營中心，不斷提高國內集成電路產業企業管理、市場開拓、人才培養能力。積極提高資源利用效率，完善外商投資項目核準辦法，適時調整《外商投資產業指導目錄》，優化產業布局，減少低水平盲目重復建設。

　　(四)加強人才培養，積極引進海外人才
　　
　　建立、健全集成電路人才培訓體系，加快建設和發展微電子學院和微電子職業培訓機構，形成多層次的人才梯隊，重點培養國際化的、高層次、復合型集成電路人才；加大國際化人才引進工作力度，大力引進國外優秀集成電路人才；引入競爭激勵機制，制定激發人才創造才能的獎勵政策和分配機制，創造有利于集成電路人才發展的寬松環境。