日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）開(kāi)發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車(chē)載領(lǐng)域?yàn)橹行牡摹⑤斎腚妷?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。

新系列產(chǎn)品根據(jù)用途采用6種封裝，共13種產(chǎn)品。從9A到100A（可用于需要大電流的大功率設(shè)備），所適用的電流値范圍更寬。另外，采用羅姆獨(dú)家的新構(gòu)造，與以往的一般產(chǎn)品相比，功率轉(zhuǎn)換性能改善約30％，尤其對(duì)需要大電流的大功率設(shè)備的DC/DC電源電路實(shí)現(xiàn)更低功耗貢獻(xiàn)巨大。

關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆株式會(huì)社總部（京都），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國(guó)）、ROHM Korea Corporation (韓國(guó))。從2012年4月份開(kāi)始出售樣品(樣品價(jià)格30日元～100日元/個(gè))，計(jì)劃從7月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。

近年來(lái)，在各種設(shè)備的DC/DC電源電路中，一直通過(guò)改善功率轉(zhuǎn)換效率來(lái)實(shí)現(xiàn)節(jié)電。其中，也要求對(duì)功率轉(zhuǎn)換影響巨大的功率MOSFET具有更低損耗、更高效率。

一直以來(lái)，羅姆為客戶(hù)提供了眾多面向消費(fèi)電子的中功率的高效率MOSFET，隨著24V輸入的大型大功率工業(yè)設(shè)備和車(chē)載領(lǐng)域的發(fā)展，對(duì)耐壓40V級(jí)別、支持大電流的高效率功率MOSFET的需求日益高漲。

新系列產(chǎn)品采用了羅姆獨(dú)家的低電容構(gòu)造和“溝槽式場(chǎng)板結(jié)構(gòu)”，成功地同時(shí)實(shí)現(xiàn)了本為相互制約關(guān)系的低導(dǎo)通電阻與低柵極電容。由此，作為DC/DC轉(zhuǎn)換器用功率MOSFET的性能指數(shù)所使用的“FOM”與以往產(chǎn)品相比大幅減小，達(dá)到了業(yè)界最高級(jí)別的高效率。不僅如此，還可支持高頻動(dòng)作，有助于外圍部件的小型化。

另外，根據(jù)用途可提供6種封裝，在工業(yè)設(shè)備和車(chē)載領(lǐng)域中廣泛使用的大功率封裝(TO-220, LPTS)產(chǎn)品陣容中，又增添了適用100A大電流的產(chǎn)品，有助于大幅降低設(shè)備的功耗。

此外，本產(chǎn)品為了確保同步整流電路中的性能，針對(duì)UIS(L負(fù)載雪崩耐量)實(shí)施了100%試驗(yàn)，在質(zhì)量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨(dú)創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù)，不斷推進(jìn)設(shè)想到客戶(hù)需求的晶體管產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

＜特點(diǎn)＞

• 采用新構(gòu)造，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高級(jí)別的高效率性能

進(jìn)一步微細(xì)化，同時(shí)，采用羅姆獨(dú)家的低電容構(gòu)造和新的“溝槽式場(chǎng)板結(jié)構(gòu)”，實(shí)現(xiàn)了低電容與低導(dǎo)通電阻兼?zhèn)涞脑Ｅc羅姆以往產(chǎn)品相比，表示功率MOSFET的性能指數(shù)的“FOM”數(shù)值可大幅減小。

100A的大電流、適用于工業(yè)設(shè)備和車(chē)載用設(shè)備

根據(jù)不同用途，提供6種封裝。效率更高，使在高頻區(qū)域的使用成為可能。不僅如此，還可支持100A的大電流，可滿(mǎn)足工業(yè)設(shè)備和車(chē)載領(lǐng)域中的各種需求。

＜規(guī)格＞

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

?DC/DC轉(zhuǎn)換器

將直流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓的電源電路。例如，將服務(wù)器和電腦等設(shè)備內(nèi)部的12V標(biāo)準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)換為

使微處理器和存儲(chǔ)器等IC工作的各種電壓（5V～0.9V等）。

?FOM（Figure of merit）

表示功率MOSFET性能的指數(shù)，以Ron×Qgd的數(shù)值表示。數(shù)值越小越優(yōu)異。