全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，董事長：赤尾泰，以下簡稱“瑞薩電子”）與臺灣積體電路制造（TSMC）（總公司：臺灣新竹、日本法人：TSMC日本株式會社、橫浜市西區、董事長：小野寺誠、以下簡稱TSMC）——今天（28日）共同宣布，雙方已經簽署協議，將在微控制器(MCU)技術方面的合作擴大至40納米嵌入閃存(eFlash)的制造，以生產應用于下一代汽車及家電等消費類產品的微控制器。瑞薩電子先前已委托TSMC生產90納米工藝的微控制器，本次合作方案中，瑞薩電子將委托TSMC生產40納米工藝及更先進生產工藝的微控制器。

   結合瑞薩電子支持高可靠性及高速的金屬氧化氮氧化硅（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技術與TSMC高品質技術的支持，包括先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）生產與靈活的產能調節的優勢。瑞薩電子與TSMC將在MCU平臺與制造所需的先進技術上共同合作，以取得世界領先地位。此外，通過將此MONOS生產平臺提供給遍布全球的其他半導體供應商，包括無晶圓廠（Fabless）公司及整合元件制造商（IDM），目標是建立一個生態系統，進一步擴大客戶群。

    基于雙方長久穩固的合作關係，TSMC為瑞薩電子提供先進的CMOS工藝和生產制造能力，使得瑞薩得以同時實現高成本效率和高可靠性，并將閃存整合于單一微控制器上。相比于目前的90納米制造工藝，采用40納米制造的微控制器產品具備更高速、更低功耗的優勢，而且晶片尺寸縮小逾50%，這些特性對于整合型微控制器的設計格外重要，該設計將邏輯晶片、存儲器、及其他系統零組件壓縮至極小的面積上。

    瑞薩電子資深副總裁MCU事業本部長巖元伸一表示，「今后瑞薩電子將以半導體事業全球的增長作為目標，考慮到TSMC在提供產品迅速量產、實時并且大量提供尖端工藝的生產及對市場需求劇烈波動的應對方面的卓越優勢。本次與TSMC合作是瑞薩電子努力實現全球市場增長的重要戰略。

    去年的日本大地震，使瑞薩多條生產線受到沖擊，給客戶造成了很大影響。為汲取教訓，從公司營運持續計劃BCP（Business Continuity Plan）出發，瑞薩正在推進晶圓廠網絡（Fab Network）的構建。通過此次強強合作發揮兩家公司領先世界的技術優勢，我們將為客戶構建一條穩定可靠的供應鏈，同時構建引領市場發展的MCU生產生態系統。

   臺積電公司全球業務暨行銷資深副總經理陳俊圣表示："瑞薩電子是微控制器市場的領軍廠商，通過此次合作，TSMC將為瑞薩電子新的微控制器生產提供必要的性能，同時滿足客戶對產品高品質、高可靠性的期待方面做出貢獻。"

瑞薩電子的MONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入閃存技術

    在閃存單元（Flash Cell）中，每一個硅基（Silicon Base）上的電晶體都是由氧化物、氮化物以及氧化物三層組成，且在上方設有金屬控制閘極。瑞薩電子在MONOS閃存技術的應用方面，擁有20年以上的經驗，可提供IC卡專用的微控制器。基于在MONOS技術上優異的成績，瑞薩電子成功地開發出適用于MCU內部閃存的分離閘(Split-Gate, SG)結構，此項新型的SG-MONOS閃存能夠實現微控制器高可靠性、高速、以及低能耗的功能。