全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術的器件，適用于電池保護與逆變器開關中的負載開關、充電和放電開關等低功率應用。
全新的功率MOSFET具備極低的導通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導損耗。新產品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅動從12Vgs到20Vgs不等。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列，與采用SOT-23和SO-8封裝的現有器件相輔相成，為客戶設計系統提供了更大的靈活性。這個平臺擁有極低的導通電阻，因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET，有助于減少電路板面積和系統成本。”
所有新器件均達到第一級潮濕敏感度(MSL1) 業界標準，并符合電子產品有害物質管制規定(RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。
產品規格
|
器件編號 (- TRPbF) |
BVDSS |
VGS最大值 |
25ºC時的最大Id |
典型/最大導通電阻(mΩ) |
||
|
10V |
4.5V |
2.5V |
||||
|
IRFTS9342 |
-30V |
20V |
5.9A |
31/39 |
53/66 |
NA |
|
IRLTS2242 |
-20V |
12V |
6.9A |
N/A |
26/32 |
45/55 |
|
IRLTS6342 |
30V |
12V |
7.8A |
12/20 |
15/24 |
|
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15/19 |
22/29 |
N/A |
新器件正接受批量訂單。相關數據及MOSFET產品選型工具，請瀏覽IR的網站www.irf.com。
商標
IR®和HEXFET®是國際整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
- 完-
IR簡介
國際整流器公司(簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗(電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR 成立于1947 年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR 全球網站：www.irf.com，中國網站：www.irf.com.cn。