瑞薩科技公司與松下公司共同宣布，在瑞薩那珂分部(茨城縣日立那珂市)集中精力聯合開發領先的SoC工藝技術，并將其28-32nm工藝開發線投入運營。在瑞薩那珂分部，兩家公司正通過致力于對300mm晶圓產品線的聯合開發和提供聯合開發結構，進行28nm工藝技術的開發，旨在不久的將來將其投入批量生產。 早在1998年瑞薩還未正式成立之時，即已與松下約定聯合開發新一代SoC技術，并在瑞薩北伊丹事務所(兵庫縣依丹市)不斷開發面向90nm、65nm、45nm和32nm系列的半導體工藝技術。2008年10月，在將具有金屬/高k柵極堆棧結構與面向32nm系統SoC工藝的超低k材料晶體管技術進行結合，而使互聯技術得到開發后，即確立了將其投入批量生產的目標日期。 此后，在2009年7月，雙方又利用面向28nm工藝的金屬/高k柵極堆棧結構合作開發了SRAM單元。現在，在這些成果的基礎上，兩家公司開始運營該生產線，以便在新近安裝于瑞薩那珂分部的300nm晶圓開發線內，利用28nm制造工藝技術聯合開發全集成技術。 在那珂分部的開發線中，除了從瑞薩北伊丹事務所轉移過來的部分開發線設備以外，兩家公司還安裝了全新的生產設備，以開發批量生產中實際所需的晶圓尺寸的產品，完成順利向批量生產階段的過渡，達到削減開發成本、縮短開發時間，從而提高開發和生產效率的目的。 28-32nm SoC工藝技術作為聯合開發的成果，已經應用到兩家公司推出的先進移動應用和數字家電的SoC中。此外，這些產品也已在兩家公司的各個分部實現了批量生產。 從促進早期技術積累到取得如今的成果，兩家公司一直借助于這種長期的合作伙伴關系，進行持續有效地開發，并致力于將這些先進技術及早地投入到應用中去。