上海和舊金山2012年3月15日電 /美通社亞洲/ -- 中微半導體設備有限公司( 8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設備Primo TSV200E(TM) -- 該設備結構緊湊且具有極高的生產率，可應用于8英寸晶圓微電子器件、微機電系統、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設備將被用于生產芯片的3D封裝、CMOS圖像感測器、發光二極管、微機電系統等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E(TM)已經進入昆山西鈦微電子和江陰長電的生產線，以支持其先進的封裝生產制造。預計中微不久還將收到來自臺灣和新加坡的訂單。
中微的TSV刻蝕設備和同類產品相比有相當多的優點，在各種TSV刻蝕應用中表現出色。這些優點包括：雙反應臺的設計有效提高了產出率；獨特設計的預熱腔室保證了機臺運行的高可靠性和高效能；獨特的氣體分布系統設計大大提高了刻蝕均勻性和刻蝕速率。這些特點使中微TSV刻蝕設備的單位投資產出率比市場上其他同類設備提高了30%。
中微此次推出的TSV刻蝕設備Primo TSV200E(TM)標志著公司在發展歷程中又邁出了新的一步，使中微的設備進入了這一快速發展的市場前沿。據市場調查公司Yole Developpement*預測，三維芯片及晶圓級封裝設備的市場規模今年將達到7.88億美元，2016年將攀升至24億美元。TSV刻蝕設備將占據市場份額的一大部分，而其中的強勁需求多來自于中國企業。
中微開發TSV刻蝕設備恰恰滿足了這樣的需求。CMOS圖像傳感器、發光二極管、微機電系統以及其他許多裝置都離不開微小的系統級芯片（SoC），而3D IC技術則是實現系統級芯片的必要條件。隨著半導體關鍵尺寸日益縮小，采用新的堆疊處理方法勢在必行。先進芯片變得日益復雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡。通過芯片的堆疊，連接線比傳統的鍵合線更短，這就提高了封裝密度，加快了數據傳輸和處理速度，并降低了能耗，所有這些在更小的單元中就可以實現。
江陰長電賴志明總經理表示：“3D IC封裝是江陰長電先進封裝的發展方向，技術關鍵是TSV工藝集成。中微的TSV刻蝕設備體現了出色的工藝性能，很好地支持了江陰長電先進封裝的新產品開發，并能始終保持競爭優勢。我們很高興能與中微合作。”
昆山西鈦的周浩總經理說道：“中微是昆山西鈦在先進封裝生產中的一個重要合作伙伴，昆山西鈦很愿意和這樣一個鄰近的半導體刻蝕設備供應商合作，來支持我們在TSV技術方面的需求。中微的8英寸硅通孔刻蝕設備經過不斷的改進，現有設備已證明有很好的工藝性能、高產出率和低生產成本，這些都為確保我們產品的高質量奠定了重要基礎。”
“對于我們TSV刻蝕設備的客戶來說，提高生產率和單位投資產出率無疑是極其必要的。”中微副總裁倪圖強博士說道，“客戶的產品線在不斷演變，這就意味著他們需要這樣一種設備 -- 可以靈活、最大范圍地刻蝕加工各種產品。而客戶采用了Primo TSV200E(TM)就能以更快的速度加工晶圓片，同時保證高可靠性和低成本。我們很高興中微首批TSV刻蝕設備已經進入了像昆山西鈦微電子和江陰長電這樣的創新型企業。”
Primo TSV200E(TM)的核心在于它擁有雙反應臺的反應器，既可以單獨加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。中微的這一TSV刻蝕設備可安裝多達三個雙反應臺的反應器。與同類競爭產品僅有單個反應臺的設備相比，中微TSV刻蝕設備的這一特點使晶圓片產出量近乎翻了一番，同時又降低了加工成本。此外，該設備具有的去耦合高密度等離子體源和偏置電壓使它在低壓狀態下提高了刻蝕速率，并能夠在整個工藝窗口中實現更高的靈活度。中微具有自主知識產權的氣體分布系統設計也提高了刻蝕速率和刻蝕的均勻性，并在整個加工過程中優化了工藝性能，射頻脈沖偏置則有效減少了輪廓凹槽。
中微8英寸硅通孔刻蝕設備現已面市，12英寸的硅通孔刻蝕設備也正在研發中。欲了解更多關于設備的詳細信息，請訪問 http://amec-inc.com/products/TSV.php?lang=zh_CN。
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