</a>28nm" title="28nm">28nm" title="28nm">28nm最小線寬修改，并使其電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal1)。
看好28nm制程可帶來更高效能、低功耗以及尺寸更輕薄短小的IC產品，業界大廠業界大廠紛紛導入。臺積電在2011底率先量產28奈米制程產品，并預估今年28nm制程產品將達到整體營收的10%。聯電近期也傳出接獲數間大廠的28nm訂單，進入試產階段。緊追在后的三星電子及格羅方德(Globalfoundries)，也各自有其在先進制程上的布局。
不過，28nm制程亦有技術上的挑戰。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經理崔革文表示，28nm在設計與布局上的復雜度大幅升高，并且很難有一套通用的可制造性設計(DFM)模型來確保設計與布局的正確性，將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔，一套28nm光罩要價近2億臺幣，是40nm的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。因此，許多業者采FIB(Focusedionbeam，聚焦離子束)線路修改技術，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。
宜特科技從2010年起展開28奈米IC線路修改的研究與布局，針對最底層(Metal1)的極小線路作修改測試，并從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環節上均已完成驗證，技術能量已可滿足目前所有先進制程產品的除錯與驗證需求。
除了擁有技術外，宜特也在這兩年建造完成國內唯一同時擁有可勝任40nm與28nm線路修改的實驗室，除了一般的Front-sideFIB技術外，亦可支援Back-sideFIB線路修改技術。
Back-sideFIB是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改，該相關技術近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數都特別高的28nm制程上，由于需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(FlipChip)形式，宜特預期使用Back-sideFIB線路修改將成為未來主流。
看好28nm制程可帶來更高效能、低功耗以及尺寸更輕薄短小的IC產品，業界大廠業界大廠紛紛導入。臺積電在2011底率先量產28奈米制程產品，并預估今年28nm制程產品將達到整體營收的10%。聯電近期也傳出接獲數間大廠的28nm訂單，進入試產階段。緊追在后的三星電子及格羅方德(Globalfoundries)，也各自有其在先進制程上的布局。
不過，28nm制程亦有技術上的挑戰。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經理崔革文表示，28nm在設計與布局上的復雜度大幅升高，并且很難有一套通用的可制造性設計(DFM)模型來確保設計與布局的正確性，將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔，一套28nm光罩要價近2億臺幣，是40nm的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。因此，許多業者采FIB(Focusedionbeam，聚焦離子束)線路修改技術，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。
宜特科技從2010年起展開28奈米IC線路修改的研究與布局，針對最底層(Metal1)的極小線路作修改測試，并從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真，目前在各個環節上均已完成驗證，技術能量已可滿足目前所有先進制程產品的除錯與驗證需求。
除了擁有技術外，宜特也在這兩年建造完成國內唯一同時擁有可勝任40nm與28nm線路修改的實驗室，除了一般的Front-sideFIB技術外，亦可支援Back-sideFIB線路修改技術。
Back-sideFIB是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改，該相關技術近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數都特別高的28nm制程上，由于需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(FlipChip)形式，宜特預期使用Back-sideFIB線路修改將成為未來主流。
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