中科院大連化學物理研究所潔凈能源國家實驗室太陽能研究部、催化基礎國家重點實驗室分子催化與原位表征研究組（503組）李燦院士、張文華研究員領導的小組在太陽能電池新材料硒化錫（SnSe）的合成研究中取得進展。
硒化錫是一種重要的IV-VI族半導體，其體相材料的間接帶隙為0.90 eV，直接帶隙為1.30 eV，可以吸收太陽光譜的絕大部分；作為一種含量豐富、環境友好且化學穩定的半導體材料，硒化錫是新型太陽能電池潛在候選材料之一，因此其納米材料的合成受到人們的關注。本工作利用溶液化學的優勢，采用晶種誘導的方法首次生長了直徑約20nm的SnSe單晶納米線，長度從數百納米到數十微米可調。光譜表征表明，硒化錫單晶納米線顯示明顯的量子限域效應：其間接和直接帶隙分別達到1.12 eV和1.55 eV, 分別與太陽能電池材料Si和CdTe的帯隙非常接近，顯示出該材料在發展新型太陽能電池方面的潛力。
同時，研究小組還與中科院長春光機所的劉星元研究員合作，組裝了基于P3HT和SnSe納米線的雜化太陽能電池，初步考察了硒化錫單晶納米線的光電性能。
目前，該制備方法已經申報國家發明專利，該項研究成果以通訊的形式在線發表在《德國應用化學》上。
該工作得到太陽能行動計劃以及中科院“百人計劃”的支持。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。